时间：2025/9/7 10:43:45
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MBN100GP6HW 是一款由东芝（Toshiba）生产的高功率、高频率的硅基双极结型晶体管（BJT），主要设计用于高功率射频（RF）放大器应用。该器件采用先进的制造工艺，具备出色的热稳定性和高频性能，适用于通信设备、工业加热设备和射频电源等高功率应用场景。
晶体管类型：NPN 双极性晶体管
最大集电极电流（Ic）：100 A
最大集电极-发射极电压（Vce）：650 V
最大集电极-基极电压（Vcb）：750 V
最大发射极-基极电压（Veb）：4 V
最大耗散功率（Ptot）：3000 W
电流增益（hFE）：20 - 80（典型值）
特征频率（fT）：30 MHz
封装类型：TO-247（全包封）
热阻（Rth）：0.04 °C/W（结到外壳）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
MBN100GP6HW 具有出色的高频性能和高功率处理能力，适合用于射频功率放大器中。其NPN结构和高电流容量使其能够在高功率条件下保持稳定的放大性能。
该晶体管采用了先进的硅基技术，具有良好的热稳定性和低饱和压降（Vce_sat），从而减少了能量损耗并提高了系统效率。
此外，MBN100GP6HW 的封装设计具有良好的绝缘性能和机械强度，能够承受高电压和大电流的工作条件，适用于严苛的工业环境。
其高可靠性和长寿命使其成为射频加热、等离子体发生器、医疗设备和工业电源等应用中的理想选择。
MBN100GP6HW 主要应用于高功率射频放大器、工业加热设备、等离子体发生器、高频电源、医疗射频设备以及通信基站的射频功率模块。该晶体管适用于需要高功率输出和高稳定性的系统设计。
MBN100GP60V, 2SC4428, 2SC4429
