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US1J_R2_00001 发布时间 时间:2025/8/14 3:24:27 查看 阅读:19

US1J_R2_00001 是一款由 ROHM(罗姆)公司生产的表面贴装式肖特基势垒二极管(SBD),采用 UMDS 封装。该器件主要用于需要高效能和小型化的电源管理系统中,例如在 DC/DC 转换器、整流器以及电池充电电路中应用。肖特基二极管由于其低正向电压降和快速恢复时间的特点,在高频和高效率电路设计中非常受欢迎。

参数

类型:肖特基势垒二极管 (SBD)
  封装:UMDS
  最大正向电流 (IF):100mA
  最大反向电压 (VR):30V
  正向电压降 (VF):典型值 0.35V @ 10mA
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  存储温度范围:-55°C 至 150°C
  反向漏电流 (IR):最大值 100nA @ 30V

特性

US1J_R2_00001 的主要特性包括其小型化的 UMDS 封装,使得该器件非常适合用于空间受限的设计。肖特基二极管的核心优势是低正向电压降 (VF),这使得能量损耗更低,从而提高了整体系统的效率。此外,该器件具有快速的开关特性,这得益于其短恢复时间,适合在高频率应用中使用。US1J_R2_00001 还具备良好的温度特性,能够在极端温度下稳定运行,从 -55°C 到 150°C 的宽工作温度范围确保了其在恶劣环境中的可靠性。该器件采用表面贴装技术,有助于自动化生产,提高装配效率和减少 PCB 空间占用。ROHM 在功率半导体领域的丰富经验确保了该产品的高质量和长期稳定性。

应用

US1J_R2_00001 肖特基势垒二极管广泛应用于多种电子设备和系统中。常见的应用包括 DC/DC 转换器中的整流器部分,以提高转换效率;在电池充电电路中,用作防止电流倒流的阻断二极管;在低电压电源管理系统中,作为高效能的功率开关元件。此外,由于其快速开关特性,它也适合用于高频信号处理电路,例如在射频 (RF) 应用中的检波器和混频器。在工业控制、通信设备、消费类电子产品和汽车电子系统中,该器件都具有很高的实用价值。

替代型号

常见的替代型号包括 US1J-13-F、US1J-E3-08、SS14、1N5819 和 BAT54。

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