类型：肖特基势垒二极管
　　极性：单路
　　最大重复反向电压（VRRM）：20V
　　最大直流阻断电压（VR）：20V
　　平均整流电流（IO）：1A
　　峰值浪涌电流（IFSM）：30A
　　最大正向电压降（VF）：450mV @ 1A
　　最大反向漏电流（IR）：0.1mA @ 20V
　　工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C ~ +150°C
　　封装/外壳：SOD-123FL
　　安装类型：表面贴装（SMT）
　　引脚数：2
　　湿气敏感等级（MSL）：1（无限制）
　　封装宽度：1.8mm
　　封装长度：2.7mm
　　高度：1.1mm

US1175CMTR的核心优势在于其低正向导通压降和快速开关响应能力。该器件采用先进的肖特基势垒技术，利用金属-半导体结代替传统的PN结，显著降低了正向电压降，典型值仅为450mV，在1A电流下可大幅减少功耗，提升电源转换效率。这对于电池供电设备尤为重要，有助于延长续航时间。同时，由于没有少数载流子的储存效应，其反向恢复时间极短，接近于零，因此几乎不会产生开关损耗，特别适用于高频开关电源和高速整流场合。
　　该器件具备良好的热性能和机械稳定性，SOD-123FL封装虽然体积小巧，但经过优化设计，能够有效传导热量，确保在高温环境下仍能稳定运行。其工作结温可达+125°C，适合在严苛环境条件下使用。此外，US1175CMTR通过了严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温存储（HTSL）和温度循环等，保证长期使用的稳定性与安全性。
　　从制造角度看，US1175CMTR支持自动贴片工艺，适合大规模自动化生产，提高了组装效率并降低了人工成本。其无铅镀层和符合IEC 61249-2-21标准的卤素含量控制，满足现代环保法规要求。器件还具有低寄生电感和电容特性，有助于减少电磁干扰（EMI），提升系统电磁兼容性。综合来看，US1175CMTR是一款集高性能、小尺寸与环保于一体的先进肖特基二极管，适用于对空间和能效有严格要求的现代电子系统。

US1175CMTR广泛应用于多种需要高效能整流和低电压操作的电子设备中。常见应用场景包括便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和可穿戴设备中的电源管理单元，用于防止电池反接和提高DC-DC转换效率。在各类AC-DC和DC-DC开关电源中，该器件常被用作次级侧整流二极管，因其低VF特性可显著降低传导损耗，提升整体能效。此外，它也适用于逆变器、适配器、LED驱动电源以及USB充电模块等产品中，作为续流二极管或防倒灌二极管使用。
　　在工业控制领域，US1175CMTR可用于传感器模块、PLC输入输出接口和小型继电器驱动电路中，提供快速响应和可靠保护。在通信设备中，如路由器、交换机和光模块电源部分，该器件有助于维持稳定的电压供应并抑制瞬态反向电流。由于其小型化封装特点，特别适合高密度PCB布局，节省宝贵的电路板空间，适用于追求轻薄化的终端产品设计。同时，在汽车电子辅助系统（如车载导航、娱乐系统和小型电机控制）中，也可作为低压整流元件使用，满足AEC-Q101以外的部分车规级应用需求。

RB156V-40