类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(VDS)：650V
　　栅源电压(VGS)：±30V
　　连续漏极电流(ID)：2.5A（Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流(IDM)：10A
　　导通电阻(RDS(on))：2.5Ω @ VGS=10V
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：TO-220、DPAK

4N65/CJP04N65 MOSFET具备良好的导通特性和较高的击穿电压，使其在高电压应用中表现出色。其导通电阻较低，有助于减少导通损耗，提高系统效率。该器件的栅极驱动电压范围较宽，可在+10V至+20V之间正常工作，适合多种驱动电路配置。此外，4N65/CJP04N65具备较强的抗过载和瞬态电流能力，提高了器件在复杂工作环境下的可靠性。其TO-220封装具有良好的散热性能，适合中等功率应用。4N65/CJP04N65在开关速度方面表现优异，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器和电机控制电路。该器件还具有较低的输入电容和反馈电容，有助于降低高频开关过程中的驱动损耗。
　　在实际应用中，4N65/CJP04N65常用于电源管理系统、离线开关电源、LED驱动电源、电机控制和继电器驱动电路。其高耐压特性使其在AC-DC转换器中尤为常见。此外，由于其封装形式便于安装和散热，因此在工业控制、家电和消费类电子产品中也有广泛应用。

4N65/CJP04N65 主要用于以下应用场景：
　　? 开关电源（SMPS）中的主开关管
　　? DC-DC转换器，如升压（Boost）和降压（Buck）电路
　　? 电机驱动与控制电路
　　? LED照明驱动电源
　　? 继电器和电磁阀的开关控制
　　? 电池管理系统中的充放电控制
　　? 工业自动化设备中的功率开关模块
　　? 家用电器中的电源控制部分

FQP4N65C、IRF4N65、STP4NK65Z、FQA4N65C、CSP04N65