时间：2025/10/6 22:03:20
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URS1V4R7MDD是一款由Vishay Siliconix生产的表面贴装硅PN结二极管阵列，专为高密度、高性能的电子电路设计提供紧凑且可靠的解决方案。该器件采用微型双二极管封装，内部集成了两个独立的PN结二极管，连接方式为共阴极结构，适用于需要空间优化和高效信号处理的应用场景。URS1V4R7MDD广泛应用于便携式消费类电子产品、通信设备、电源管理模块以及信号调理电路中。其小尺寸封装（如SOT-23或类似）使其非常适合在高密度印刷电路板上使用，同时具备良好的热稳定性和电气性能。该器件符合RoHS环保标准，并通过了无卤素认证，满足现代电子产品对环境友好材料的要求。URS1V4R7MDD具有低正向导通电压、快速开关响应和高反向击穿电压等优点，能够在恶劣工作条件下保持稳定运行。此外，其出色的ESD（静电放电）防护能力增强了系统在工业和汽车应用中的可靠性。由于其优异的高频特性，该器件也常用于高速数字逻辑电路中的信号钳位与保护。
产品类型：双二极管阵列
配置：共阴极
最大正向电流（IF）：200mA
峰值反向电压（VRRM）：100V
最大直流阻断电压（VR）：100V
最大正向电压（VF）：1.25V @ 10mA
最大反向漏电流（IR）：1μA @ 100V
结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
存储温度范围：-65℃ ~ +150℃
封装类型：SOT-23
安装类型：表面贴装
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
URS1V4R7MDD的核心特性之一是其共阴极双二极管结构，这种设计允许两个独立的阳极共享一个公共阴极，从而在PCB布局中节省空间并简化布线。该结构特别适用于双通道信号整流、电平转换和输入/输出端口保护等应用。每个二极管均采用先进的硅外延工艺制造，确保了低正向压降和快速恢复时间，典型反向恢复时间（trr）小于4ns，这使得器件在高频开关环境中表现出色。低正向压降不仅提高了能效，还减少了热损耗，有助于提升整体系统的稳定性。
该器件具有优异的温度稳定性，在-55℃至+150℃的宽结温范围内均可正常工作，适合极端环境下的工业控制和汽车电子应用。其封装采用模塑塑料技术，具备良好的机械强度和防潮性能，能够有效抵御物理冲击和环境应力。此外，URS1V4R7MDD通过了AEC-Q101汽车级可靠性认证，表明其在振动、温度循环和湿度测试等方面均达到车规级标准，可广泛用于车载信息娱乐系统、传感器接口和车身控制模块。
在电磁兼容性方面，URS1V4R7MDD展现出良好的噪声抑制能力和抗干扰性能，能够有效防止瞬态电压尖峰对敏感电路造成损害。其高达100V的反向耐压能力使其适用于多种电源轨电压等级下的保护电路设计。同时，极低的反向漏电流（典型值1μA）保证了在高阻抗信号路径中不会引入显著的偏置误差，这对于精密模拟前端至关重要。综合来看，URS1V4R7MDD是一款集小型化、高性能与高可靠性于一体的双二极管解决方案，适用于对空间和性能均有严格要求的现代电子系统。
URS1V4R7MDD广泛应用于多个电子领域，尤其在便携式消费类电子产品中发挥着关键作用。例如，在智能手机和平板电脑中，它常被用于USB接口的ESD保护和数据线的信号钳位，防止因静电放电或电压浪涌导致主控芯片损坏。在笔记本电脑和显示器的I/O端口中，该器件可用于HDMI、DisplayPort等高速差分信号线路的瞬态抑制，保障信号完整性。
在通信设备中，URS1V4R7MDD适用于光模块、路由器和交换机的信号调理电路，作为限幅二极管使用，防止过压信号进入接收器前端。其快速响应特性使其能够在纳秒级时间内将异常电压钳制到安全水平，保护后级敏感元件。
在工业自动化系统中，该器件可用于PLC输入模块的信号隔离与保护，特别是在数字输入通道中对现场传感器信号进行整形和滤波。此外，在电机驱动器和电源管理系统中，URS1V4R7MDD可作为续流二极管或反馈检测路径的一部分，实现高效的能量回馈与状态监测。
在汽车电子领域，该器件适用于车身电子控制单元（ECU）、车灯控制系统、雨刷电机驱动以及CAN/LIN总线节点的接口保护。其AEC-Q101认证和宽温工作能力使其能在发动机舱附近等高温高湿环境中长期可靠运行。此外，在电池管理系统（BMS）中，也可利用其双二极管结构实现电压采样通道的交叉导通保护。总之，URS1V4R7MDD凭借其多功能性和高集成度，已成为各类电子系统中不可或缺的基础元件之一。
MMBD100WT-7-F
RB751S-40TL
