时间：2025/8/9 13:01:55
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FMP06N60ES 是一款由 Fairchild（飞兆半导体，现属于安森美半导体）制造的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和功率转换应用。该器件设计用于高效率和高性能的开关应用，具备低导通电阻、高耐压以及优异的热稳定性等特点。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：600V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：6A
导通电阻（Rds(on)）：1.75Ω（最大）
功率耗散（Pd）：50W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：TO-220
FMP06N60ES 具备多项优异的电气和热性能，使其在多种功率应用中表现出色。其导通电阻较低，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件的耐压能力高达600V，适用于高压环境下的稳定工作。
这款MOSFET的封装形式为TO-220，具备良好的散热能力，适用于高功率密度设计。其最大连续漏极电流为6A，适用于中等功率开关电路。栅源电压范围为±20V，确保栅极控制信号的稳定性，并减少误触发的可能性。
此外，FMP06N60ES 具备出色的热稳定性，能够在高温环境下正常工作，增强了系统的可靠性。其设计符合工业标准，适用于多种电源管理、DC-DC转换器、马达控制以及负载开关等应用场景。
FMP06N60ES 主要应用于各类功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、电池管理系统、马达驱动电路、照明控制系统以及工业自动化设备中的功率开关。此外，它也适用于家用电器和消费类电子产品中的电源管理模块。
FQP6N60C, FDPF6N60ES, 2SK2545
