时间：2025/10/6 17:03:55
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URS1V100MDD是一款由 Vishay Siliconix 生产的表面贴装硅整流器，属于超快恢复二极管类别。该器件采用高效的 SMC（DO-214AB）封装，适用于需要高效能和紧凑设计的应用场景。URS1V100MDD能够在高达100V的反向电压下工作，并提供1A的平均整流电流能力。这款二极管以其快速的反向恢复时间著称，有助于减少开关损耗并提高电源转换效率。其主要特点包括低正向电压降、高浪涌电流承受能力和优良的热稳定性。由于采用了先进的制造工艺，URS1V100MDD在高温环境下仍能保持可靠的性能表现，适合用于消费电子、工业控制、通信设备以及汽车电子等多种领域。
该器件符合RoHS标准，无铅且环保，支持回流焊和波峰焊等多种焊接方式，便于自动化生产。此外，SMC封装提供了良好的散热性能，有助于延长元件寿命并在高负载条件下维持稳定运行。URS1V100MDD常被用作续流二极管、极性保护元件或在DC-DC转换器中作为输出整流器。对于追求高效率与小型化的现代电源系统而言，URS1V100MDD是一个理想的选择。通过优化PN结结构和掺杂工艺，该二极管实现了优异的动态特性与可靠性之间的平衡，满足严苛环境下的长期使用需求。
类型：超快恢复二极管
封装/外壳：SMC（DO-214AB）
最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V
平均整流电流（IO）：1A
正向压降（VF）：典型值1.3V @ 1A
最大反向漏电流（IR）：5μA @ 100V, 25°C
反向恢复时间（trr）：典型值35ns
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
储存温度范围：-55°C 至 +150°C
非重复峰值浪涌电流（IFSM）：30A @ 8.3ms 半正弦波
URS1V100MDD具备出色的电气性能和热稳定性，是专为高频开关电源应用而设计的超快恢复二极管。其核心优势在于极短的反向恢复时间（trr），典型值仅为35ns，这显著降低了在高频开关过程中产生的开关损耗，提升了整体系统的能效。这一特性使其特别适用于诸如AC-DC适配器、开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器等对效率要求较高的场合。此外，较短的trr还能有效抑制电压尖峰和电磁干扰（EMI），从而简化滤波电路的设计，提升系统EMC性能。
该器件具有1A的持续整流电流能力，并可在短时间内承受高达30A的浪涌电流，表现出强大的抗冲击能力，能够应对启动瞬间或异常工况下的大电流冲击。这种高浪涌耐受性增强了系统的鲁棒性，尤其适用于电机驱动、逆变器和工业电源等可能存在瞬态过流的应用场景。同时，URS1V100MDD的正向导通压降较低，在1A电流下典型值为1.3V，有助于降低导通损耗，进一步提升能源利用效率。
从材料与封装角度看，URS1V100MDD采用SMC表面贴装封装，体积小、重量轻，适合高密度PCB布局。该封装具备良好的热传导性能，可通过PCB有效散热，确保器件在高功率密度环境中长期稳定运行。器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适应极端温度变化，适用于户外设备、汽车电子及工业控制系统等恶劣工作环境。所有材料均符合RoHS指令要求，不含铅、镉等有害物质，支持绿色环保制造流程。
URS1V100MDD广泛应用于各类需要高效、可靠整流功能的电子系统中。它常见于开关模式电源（SMPS）中作为输出整流二极管或续流二极管，尤其是在低功率至中等功率段的AC-DC适配器、充电器和LED驱动电源中发挥关键作用。得益于其快速的反向恢复特性，该器件可有效减少开关节点的振铃现象和能量损耗，从而提升转换效率并降低温升。
在DC-DC转换器拓扑如Buck、Boost和Flyback电路中，URS1V100MDD常被用作自由轮转二极管或同步整流的辅助元件，帮助实现平稳的能量传递。其100V的反向耐压等级使其适用于12V、24V乃至48V系统中的电压箝位和反向极性保护电路，防止因接线错误或瞬态反接导致后级电路损坏。
此外，该器件也适用于逆变器、UPS不间断电源、光伏微逆系统以及工业自动化控制板中的隔离与保护功能。在消费类电子产品如电视、机顶盒、路由器等内部电源模块中，URS1V100MDD因其小尺寸和高可靠性而受到青睐。在汽车电子领域，可用于车载充电器、DC-DC变换模块和车身控制单元中，满足车规级应用对温度和可靠性的严苛要求。总之，凡是需要快速响应、低损耗、高可靠性的整流或保护功能的场合，URS1V100MDD都是一个极具竞争力的解决方案。
URS1J100MDD, MURS110T3G, STTH1R06U, BSR1-100DIP
