型号：URS1C331MPD
　　制造商：Vishay Siliconix
　　封装类型：SMA（DO-214AC）
　　二极管配置：双独立
　　反向重复电压VRRM：160V
　　最大直流阻断电压VR：160V
　　最大平均整流电流IO：1A
　　峰值非重复浪涌电流IFSM：30A
　　正向压降VF（典型值）：0.975V @ 1A, 1MHz
　　反向漏电流IR（最大值）：10μA @ 125°C
　　反向恢复时间trr：≤30ns
　　工作结温范围TJ：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围Tstg：-55°C 至 +150°C
　　安装方式：表面贴装

URS1C331MPD的核心优势在于其采用的硅势垒肖特基（Silicon Barrier Schottky, SBS）技术，这种技术结合了传统肖特基二极管的低正向导通压降和PN结二极管的高反向耐压能力，从而实现了在保持高效整流的同时，显著提升反向击穿电压和可靠性。该器件的正向压降低至约0.975V（在1A、1MHz条件下），有效降低了功率损耗，提高了整体系统效率，特别适用于电池供电设备或对能效敏感的应用场合。同时，其反向恢复时间极短（≤30ns），几乎不存在反向恢复电荷（Qrr），因此在高频开关环境中能够大幅减少开关损耗和电磁干扰（EMI），提升系统稳定性。
　　该器件的双二极管独立配置设计提供了更高的电路布局灵活性，允许工程师将其用于全波整流、电压倍增、钳位保护或逻辑电平转换等多种功能。由于每个二极管彼此隔离，可在不同电路节点中独立使用，避免相互干扰。URS1C331MPD还具备出色的热性能，SMA封装具有较大的焊盘面积，有利于热量通过PCB传导，从而延长器件寿命并提高长期运行的可靠性。此外，该器件对瞬态电压和浪涌电流具有较强的耐受能力，其峰值非重复浪涌电流可达30A，确保在电源启动或负载突变时仍能安全运行。
　　在环境适应性方面，URS1C331MPD可在-55°C至+150°C的宽结温范围内稳定工作，适用于高温工业环境或低温户外设备。其材料符合IPC/JEDEC J-STD-020的MSL 1级标准（湿度敏感度等级1），无需特殊干燥包装，在常规存储和回流焊工艺下不易受损。器件还通过了AEC-Q101车规级可靠性测试，虽非专为汽车应用设计，但仍具备一定的车载环境适用潜力。总之，URS1C331MPD是一款集高效、可靠、紧凑于一体的高性能肖特基二极管阵列，适合现代高密度、高效率电子系统的设计需求。

URS1C331MPD广泛应用于各类需要高效整流与快速响应的电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS）中的输出整流电路，特别是在DC-DC转换器和AC-DC适配器中，利用其低正向压降和快速恢复特性来提升转换效率并减少发热。在便携式设备如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电源管理系统中，该器件可用于电池充放电路径的隔离与保护，防止反向电流造成损害。
　　此外，URS1C331MPD也常用于逆变器、UPS不间断电源和LED驱动电源等工业电源设备中，作为续流二极管或防反接元件，确保系统在动态负载变化下的稳定运行。在通信设备中，它可用于信号整流、检波和射频包络检测等高频应用，得益于其极短的反向恢复时间和低噪声特性。
　　该器件还可用于电机驱动电路中的箝位保护，吸收感性负载断开时产生的反电动势，保护MOSFET或IGBT等功率开关器件。在汽车电子辅助系统中，如车载充电模块、照明控制单元和传感器接口电路中，URS1C331MPD也能发挥其高可靠性和温度稳定性的优势。此外，在消费类家电如电视、音响和智能家居控制板中，该器件用于电源次级侧整流和电压采样电路，提升整机能效等级。

URS1C331MCT-F
　　VS-1.5KE68CA
　　MBR1100
　　SB1045CT