KRC861U-RTK 时间：2025/12/28 15:00:58 阅读：14

KRC861U-RTK 是一款由 KEC（高荣半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高频率、高效率的功率开关应用，适用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制以及负载开关等电路。其封装形式为 SOT-23（小型晶体管封装），具有体积小、功耗低、导通电阻低等特点，是一款性价比极高的通用型功率 MOSFET。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：100mA（连续）
　　最大漏源电压（VDS）：300V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约 15Ω（典型值）
　　功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-23

特性

KRC861U-RTK 具有低导通电阻的特点，使其在导通状态下功耗更低，有助于提高系统效率。
　　该器件支持较高的漏源电压（最高可达 300V），适合中高压应用环境。
　　其 SOT-23 封装形式使其非常适合用于空间受限的 PCB 设计，同时具备良好的散热性能。
　　栅极驱动电压范围较宽，支持常见的 5V 至 15V 控制信号，兼容多种控制器和驱动电路。
　　具有较高的开关速度，适用于高频开关场合，有助于减小外围元件尺寸并提高系统响应速度。
　　内置的体二极管可以有效保护 MOSFET 在感性负载关断时免受反向电动势的损害。

应用

该 MOSFET 常用于电源管理模块，如 DC-DC 升压/降压转换器、开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
　　适用于小型化电子设备中的负载开关，如 LED 驱动、小型电机控制、继电器替代等应用场景。
　　在电池供电设备中，作为高效能的功率控制元件，帮助延长设备续航时间。
　　还可用于高频逆变器、电荷泵电路以及各种需要高压、低电流开关的场合。