类型：SiC MOSFET 模块
　　配置：双管（Dual MOSFET）
　　漏源电压（VDS）：1200V
　　连续漏极电流（ID）：48A（Tc=100°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：15mΩ（最大）
　　封装形式：TO-247-4L（四引脚）
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C
　　短路耐受能力：600V/48A，10μs
　　栅极电荷（Qg）：120nC（典型值）
　　反向恢复电荷（Qrr）：0nC（SiC MOSFET 无体二极管反向恢复）

URH4815LP-20WR3 的核心优势在于其基于 SiC 技术所带来的高性能表现。首先，其导通电阻仅为 15mΩ，在相同功率等级下比传统硅基 MOSFET 和 IGBT 具有更低的导通损耗，有助于提高系统效率。此外，该器件具有极快的开关速度，能够显著减少开关损耗，适用于高频开关应用，如 LLC 谐振转换器和 ZVS（零电压开关）拓扑结构。
　　该模块采用 TO-247-4L 封装，四引脚设计有效减少了栅极驱动回路中的寄生电感，提高了驱动稳定性，特别适合用于高 dv/dt 环境。同时，URH4815LP-20WR3 具有良好的热管理性能，能够在高温环境下稳定运行，提高了系统的可靠性和寿命。
　　另一个显著优势是其无体二极管反向恢复特性。由于 SiC MOSFET 没有传统 MOSFET 或 IGBT 中的体二极管反向恢复电荷（Qrr），因此在同步整流或双向功率流动应用中可以显著减少能量损耗和电磁干扰（EMI）。此外，该器件具备较强的短路耐受能力，能够在极端工况下提供一定的容错能力，适用于对可靠性要求较高的工业和汽车应用。

URH4815LP-20WR3 广泛应用于高功率密度和高效率要求的电力电子系统中。典型应用包括电动汽车（EV）车载充电器（OBC）、DC-DC 转换器、储能系统（ESS）、光伏逆变器、服务器电源、5G 基站电源、不间断电源（UPS）和工业电机驱动等。由于其优异的高频性能和低损耗特性，该模块尤其适用于采用谐振或软开关拓扑（如 LLC 和 ZVS）的设计，有助于实现更紧凑、更高效的电源系统。
　　在电动汽车领域，URH4815LP-20WR3 可用于高压电池管理系统中的 DC-DC 转换器，将高压电池电压转换为低压系统供电，同时具备高效率和高可靠性的要求。在光伏逆变器中，其高耐压能力和低导通损耗使其成为提升系统整体效率的理想选择。此外，在数据中心和通信设备的电源系统中，该模块的高频特性有助于减小磁性元件体积，提升功率密度。

C3M0065065K（Wolfspeed）, SCT3045KL（ROHM）, SiC MOSFET 模块如 1200V/40A 系列