时间：2025/9/15 0:54:29
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PBSS5350X,115 是由 Nexperia（安世半导体）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的 Trench 工艺制造，适用于高效率电源管理和功率开关应用。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、高耐压和高电流能力，非常适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制和电池管理系统等场景。
类型：N沟道 MOSFET
漏源电压 VDS：30V
栅源电压 VGS：±20V
连续漏极电流 ID：120A
漏源导通电阻 RDS(on)：5.3mΩ（典型值）
功耗（Ptot）：130W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：LFPAK56（Power-SO8）
PBSS5350X,115 具有出色的导通性能和开关特性，其低 RDS(on) 可显著降低导通损耗，提高系统效率。
该器件采用 LFPAK56 封装，具备优异的热性能和机械稳定性，适用于高电流和高功率密度设计。
其高栅极电压容限（±20V）增强了在复杂电源环境下的工作稳定性，避免因电压尖峰导致的损坏。
此外，PBSS5350X,115 的封装设计减少了引线电感，有助于提高高频开关性能，减少开关损耗。
该 MOSFET 还具备良好的雪崩能量耐受能力，增强了在高应力应用中的可靠性。
该器件广泛应用于电源管理领域，如同步整流、DC-DC 转换器、负载开关和电源分配系统。
也可用于电机控制、电池管理系统（BMS）、电源适配器和工业自动化设备中的高侧或低侧开关。
由于其优异的热性能和封装设计，适合用于高密度电源模块和车载电子系统中。
在服务器、通信设备和消费类电子产品中也常见其身影，用于提高能效和系统稳定性。
SiSS130DN, IRF1324S-7PPBF, SQJQ134EP-T1_GE3
