类型：SiC MOSFET模块
　　最大漏极电流（Id）：75A
　　最大漏源电压（Vds）：1200V
　　导通电阻（Rds(on)）：15mΩ
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：双DIP模块（Dual DIP）
　　短路耐受能力：6倍额定电流 @ 10μs
　　栅极驱动电压范围：-5V 至 25V
　　输入电容（Ciss）：典型值 11000pF
　　反向恢复电荷（Qrr）：超低
　　功率损耗：极低导通和开关损耗

URF4815QB-75WR3 的核心优势在于其基于碳化硅材料的MOSFET技术，相较于传统硅基MOSFET和IGBT，具备更优异的性能表现。其导通电阻仅为15毫欧，大幅降低了导通损耗，同时其开关损耗极低，使得在高频工作条件下仍能保持良好的效率。此外，该模块具备出色的短路耐受能力，可承受高达6倍额定电流的短路冲击达10微秒，增强了系统在异常情况下的稳定性。
　　该模块采用双DIP封装形式，便于安装和散热管理，适用于高功率密度设计。其宽泛的栅极驱动电压范围（-5V至25V）提供了灵活的驱动方式，同时增强了器件的可靠性和抗干扰能力。由于碳化硅材料的宽禁带特性，该MOSFET在高温环境下仍能保持稳定工作，其最大工作温度可达175°C，适用于严苛的工业和汽车电子环境。
　　URF4815QB-75WR3 还具备极低的反向恢复电荷（Qrr），这使得其在桥式拓扑结构中使用时，能够显著减少交叉导通损耗，并提升系统整体效率。这一特性特别适合用于高频率工作的DC-AC逆变器、DC-DC转换器以及PFC电路等应用中。

URF4815QB-75WR3 广泛应用于需要高效率、高功率密度和高可靠性的电力电子系统中。例如，在工业电源中，该模块可用于构建高效率的DC-DC转换器或不间断电源（UPS）系统；在光伏逆变器中，其低导通和开关损耗特性可显著提高能量转换效率；在电动汽车充电桩中，该器件可支持更高功率等级和更紧凑的设计；在储能系统和电能质量调节设备中，URF4815QB-75WR3 也可提供出色的性能支持。此外，它还适用于各类高频功率变换器、电机驱动系统和轨道交通设备等。

Cree / Wolfspeed C3M0015120K, STMicroelectronics SCT3045AW, Infineon IMZ120R5HMFXKSA1