类型：碳化硅（SiC）MOSFET
　　漏源电压（Vds）：650V
　　漏极电流（Id）：120A
　　导通电阻（Rds(on)）：4.8mΩ
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-247
　　栅极电荷（Qg）：120nC
　　反向恢复电荷（Qrr）：0nC
　　安装类型：通孔

URF4805QB-75WHR3 具有以下显著特性：
　　1. **高导通性能**：该器件的导通电阻仅为 4.8mΩ，有效降低了导通损耗，提高了系统整体效率。
　　2. **优异的开关特性**：相比传统的硅基 MOSFET，URF4805QB-75WHR3 的开关损耗大幅降低，支持更高频率的运行，从而缩小磁性元件的尺寸，提升功率密度。
　　3. **零反向恢复电荷**：由于 SiC MOSFET 没有体二极管的反向恢复问题，能够显著减少在桥式拓扑结构中的开关损耗和电磁干扰（EMI），提升系统的稳定性和可靠性。
　　4. **高耐压能力**：650V 的漏源电压额定值使其适用于广泛的中高功率应用，如DC-DC转换器、PFC电路以及工业逆变器等。
　　5. **高热稳定性**：碳化硅材料具有优异的热导率，能够在高温环境下稳定工作，提升了器件在严苛环境下的耐受能力。
　　6. **高可靠性**：该 MOSFET 设计具有较长的寿命和出色的抗短路能力，适合工业级和汽车级应用需求。

URF4805QB-75WHR3 主要适用于以下几类电力电子系统：
　　1. **电源转换器**：如高效率的 AC-DC 和 DC-DC 转换器，特别是在数据中心、通信基础设施和服务器电源中，要求高效率与高功率密度的应用场景。
　　2. **工业电机驱动**：适用于高性能电机控制和变频器，如工业伺服驱动器、变频空调压缩机驱动等，能够显著提升能效和动态响应。
　　3. **储能系统**：在储能逆变器或电池管理系统中，用于高效双向功率转换，提高系统能量利用率。
　　4. **电动汽车充电设备**：作为核心功率器件应用于车载充电机（OBC）和直流快充桩，满足 EV 行业对高效率、小型化和轻量化的需求。
　　5. **可再生能源系统**：例如光伏逆变器和风能转换系统，碳化硅 MOSFET 能够提高转换效率并减少系统冷却需求，提升整体系统经济性。

SiC MOSFET 替代型号包括：C3M0040120D（Wolfspeed）、SCT20N120（STMicroelectronics）、IMZA65R048M1（Infineon）、GSi65R048T6（GaN Systems）等。