URB1D24LMD-20WR3 是一款基于碳化硅(SiC)技术的肖特基二极管,广泛应用于高频、高效率电源转换电路中。该型号具有低正向压降和快速恢复时间的特点,适合要求高功率密度和高效率的应用场景。
此器件采用TO-247封装形式,具备良好的散热性能,能够承受较高的工作温度范围。
额定电压:650V
额定电流:20A
正向压降(典型值):1.4V
反向恢复时间:小于50ns
结电容:35pF
最大功耗:300W
工作温度范围:-55℃至175℃
URB1D24LMD-20WR3 采用了先进的碳化硅材料,因此具备以下显著特点:
1. 高耐压能力:其额定电压为650V,可应对高压环境下的应用需求。
2. 快速开关速度:得益于超短的反向恢复时间(<50ns),它非常适合高频操作场景。
3. 低正向压降:相比传统硅基二极管,其正向导通压降低至约1.4V,从而减少传导损耗。
4. 耐高温设计:能够在高达175℃的工作温度下稳定运行,满足严苛的工业环境需求。
5. 高可靠性:通过了严格的测试流程,保证在长期使用中的稳定性。
该芯片适用于多种高频电力电子领域,包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS):用于提高转换效率,减少能量损失。
2. 太阳能逆变器:作为关键组件,提升系统整体效率。
3. 电机驱动器:实现高效且稳定的直流到交流转换。
4. 电动汽车充电模块:支持快速充电功能,同时保持较低的热损耗。
5. 工业控制设备:如不间断电源(UPS)系统,确保电力供应的可靠性和效率。
URB1D24LMD-15WR3
URB1D24LMD-25WR3