电容值：7.5 pF
　　容差：±0.5 pF
　　额定电压：800 V
　　电介质类型：X7R
　　封装尺寸：1206（3216 公制）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　绝缘电阻：>10,000 MΩ
　　最大工作电压：800 VDC
　　损耗因数（DF）：≤2.5%

WED3C755E8M300BM 陶瓷电容器具有多种优异的电气和机械特性，使其适用于高可靠性应用。该器件的 X7R 电介质提供了良好的温度稳定性，在 -55°C 到 +125°C 的工作温度范围内，电容值的变化率不超过 ±15%。这种稳定性使得该电容器非常适合用于滤波、耦合和旁路等应用场景。
　　此外，该电容器的额定电压为 800 VDC，能够在高压环境下稳定工作，具备较强的耐压能力。其表面贴装封装（1206）便于自动化生产和焊接，提高了电路板的组装效率。
　　该器件的绝缘电阻非常高（>10,000 MΩ），确保在高频和高阻抗电路中不会引入额外的漏电流，从而提高了电路的稳定性和可靠性。同时，其低损耗因数（≤2.5%）意味着在高频工作时，能量损耗较小，有助于提高整体电路效率。
　　由于采用了多层陶瓷结构，该电容器具有良好的机械强度和抗振动能力，适用于工业、汽车和通信设备等对可靠性要求较高的场合。

WED3C755E8M300BM 陶瓷电容器广泛应用于各种电子设备和系统中，尤其是在需要高压和高稳定性的电路中。常见的应用包括电源滤波电路、射频（RF）电路、DC-DC 转换器、汽车电子系统、工业控制系统以及通信设备中的旁路和耦合电路。
　　在电源管理电路中，该电容器可用于输入和输出滤波，以减少电压波动和噪声。在射频电路中，它可用于调谐和滤波，确保信号的清晰度和稳定性。在汽车电子系统中，其高可靠性和温度稳定性使其成为理想的去耦和滤波元件。此外，该电容器也常用于工业控制系统的传感器接口电路中，以提高信号传输的准确性和稳定性。

Vishay WED3C755E8M300BM 的替代型号包括：TDK C2012X5R1H802K、Kemet C1206X7R1H802K、Murata GRM3195C1H802KA01L 和 AVX 12065C802KAT2A。这些型号在电容值、额定电压和封装尺寸方面与 WED3C755E8M300BM 相似，可以在设计中作为替代选择。