UR5512L-SH2-R 时间：2025/12/27 7:49:43 阅读：10

UR5512L-SH2-R是一款由ULTITEK（优力特）推出的高性能、低功耗同步整流控制器芯片，专为反激式（Flyback）电源拓扑中的同步整流应用而设计。该芯片通过检测功率MOSFET的漏源极电压（VDS）来智能控制外部N沟道MOSFET的导通与关断，从而替代传统肖特基二极管，显著提升电源转换效率，降低系统温升，并提高整体功率密度。UR5512L-SH2-R采用先进的自适应导通时间控制技术，能够在不同负载条件下实现快速响应和精确的关断时机判断，有效防止误触发和体二极管导通，确保系统在宽输入电压和输出电流范围内稳定高效运行。该器件适用于多种高能效电源适配器、充电器和工业电源系统，尤其是在追求小型化和高效率的应用场景中表现出色。芯片内置多重保护机制，包括过温保护、欠压锁定（UVLO）以及防误触发逻辑，增强了系统的可靠性与鲁棒性。UR5512L-SH2-R采用SOT-23-6L或DFN等小型封装，便于在紧凑型PCB布局中使用，同时具备良好的热性能和EMI兼容性，满足现代开关电源对绿色节能和高集成度的设计需求。

参数

工作电压范围：4.5V ~ 18V
　　静态电流：典型值180μA
　　启动电压：典型值4.5V
　　关断电压：典型值3.8V
　　最大驱动电压：12V
　　栅极驱动能力：图腾柱输出，支持快速充放电
　　响应时间：典型值30ns
　　关断延迟可调：通过外部电容设置
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C
　　封装形式：SOT-23-6L 或 DFN6（根据具体版本）

特性

UR5512L-SH2-R采用电压检测型同步整流控制架构，能够精准感知外部MOSFET的VDS电压变化，从而实现高速且可靠的导通与关断控制。其核心特性之一是自适应导通时间调节功能，该功能可根据实际工作条件动态调整MOSFET的最小导通时间，避免因变压器退磁不完全或噪声干扰导致的提前关断问题，从而提升系统的稳定性与效率。芯片内部集成了高压电平位移电路，使其能够直接用于高侧整流配置，无需额外的隔离或辅助绕组偏置电源，简化了系统设计并降低了成本。此外，UR5512L-SH2-R具备优异的抗噪声能力，通过内部滤波和迟滞比较器设计，有效抑制开关节点高频振铃带来的误触发风险，即使在恶劣的电磁环境下也能保持稳定运行。
　　该芯片还支持宽范围输入电压和输出电流应用，适用于多类反激拓扑结构，包括准谐振（QR）、连续导通模式（CCM）和断续导通模式（DCM），展现出良好的通用性和兼容性。为了进一步提升系统安全性，UR5512L-SH2-R内置了多重保护机制，例如当芯片结温过高时自动进入过温保护状态，暂停驱动输出直至温度恢复正常；同时具备欠压锁定（UVLO）功能，确保在供电电压不足时不误动作，防止MOSFET工作在非安全区域。其低静态电流设计也有助于待机功耗优化，符合能源之星和DoE Level VI等国际能效标准要求。驱动输出采用图腾柱结构，提供较强的拉电流和灌电流能力，可快速充放电MOSFET栅极，减少开关损耗，提升整体效率。整体而言，UR5512L-SH2-R在性能、可靠性和集成度之间实现了良好平衡，是现代高效电源设计中理想的同步整流控制解决方案。

应用

UR5512L-SH2-R广泛应用于各类中小功率开关电源系统中，特别是那些对效率、体积和热管理有较高要求的设备。典型应用场景包括手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式电子产品的AC-DC适配器和USB-PD充电器，其高效率特性有助于实现更快的充电速度和更低的发热量。在智能家居设备如路由器、摄像头、智能音箱等产品中，该芯片可用于构建低待机功耗、高可靠性的内置电源模块。此外，在工业级电源、LED驱动电源、电动工具充电器以及IoT终端设备中也具有广泛应用前景。由于其支持多种反激工作模式，UR5512L-SH2-R特别适合用于宽输出电压调节范围的电源设计，例如支持QC/PE等快充协议的多档位输出适配器。在车载电子产品中，如车载充电器或DC-DC变换器次级侧整流控制，该芯片也能发挥其高抗干扰能力和宽温工作的优势。凭借小型封装和高集成度，UR5512L-SH2-R有助于缩小PCB面积，提升功率密度，满足现代电子产品轻薄化、集成化的趋势。无论是消费类、工业类还是汽车类应用，只要涉及反激拓扑下的同步整流需求，UR5512L-SH2-R都能提供稳定高效的控制方案，助力客户通过各类安规认证并提升产品竞争力。