时间：2025/12/27 8:44:00
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UR233L-33-AB3-C-R是一款由UnitedSiC（现归属于Qorvo）生产的表面贴装肖特基二极管模块，专为高频、高效率电源转换应用设计。该器件结合了碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管技术的优势，具备低正向压降、快速反向恢复特性以及出色的热稳定性。由于采用先进的封装技术，UR233L-33-AB3-C-R能够在高温和高电压环境下稳定运行，适用于诸如服务器电源、工业电源系统、太阳能逆变器及电动汽车充电设备等要求严苛的应用场景。其紧凑的封装形式支持高密度PCB布局，有助于减小整体电源系统的体积并提升功率密度。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具备良好的抗湿性和可靠性，适合自动化SMT装配流程。在现代高效能电源拓扑如图腾柱PFC、LLC谐振转换器中，UR233L-33-AB3-C-R能够显著降低开关损耗，提高系统整体效率。得益于碳化硅材料的宽禁带特性，该二极管可在高达175°C的结温下持续工作，展现出优于传统硅基PIN二极管的动态性能和长期稳定性。
产品类型：碳化硅肖特基二极管
配置：单个
反向重复电压 VRRM：650V
平均正向整流电流 IF(AV)：3x10A（三相全波等效）
峰值脉冲正向电流 IFSM：330A
最大正向压降 VF：1.75V（在30A时）
漏电流 IR：＜100μA（典型值，25°C）
反向恢复时间 trr：≤15ns（几乎无反向恢复电荷）
工作结温范围 TJ：-55°C 至 +175°C
存储温度范围 Tstg：-55°C 至 +175°C
封装类型：表面贴装模块（SMD Module）
安装方式：表面贴装
散热路径：底部导热板至PCB
符合标准：RoHS合规，不含铅和有害物质
UR233L-33-AB3-C-R的核心优势在于其采用碳化硅（SiC）半导体材料制造的肖特基势垒结构，这种结构从根本上消除了传统硅基PIN二极管中存在的少子存储效应，从而实现了近乎零的反向恢复电荷（Qrr）和极短的反向恢复时间（trr）。这一特性使得该器件在高频开关应用中表现出色，大幅降低了开关过程中的能量损耗，特别是在硬开关拓扑如图腾柱无桥PFC电路中，能够有效抑制电压尖峰和电磁干扰（EMI），提升系统可靠性和效率。同时，由于没有反向恢复带来的电流反向流动，也减少了主开关器件（如GaN或SiC MOSFET）的开通损耗，进一步优化了整体能效。
该器件具有稳定的正向压降特性，在额定电流范围内保持较低的VF值（典型1.75V @ 30A），这不仅减少了导通损耗，还降低了对散热系统的要求，有助于实现更紧凑的设计。其宽泛的工作结温范围（-55°C 至 +175°C）使其适用于恶劣环境下的工业与汽车级应用。此外，UR233L-33-AB3-C-R采用了低热阻的表面贴装模块封装，通过底部大面积铜焊盘将热量高效传导至PCB，提升了散热能力，确保长时间高负载运行下的可靠性。
器件具备优异的抗浪涌能力，可承受高达330A的峰值脉冲电流，增强了在瞬态过载或启动冲击条件下的鲁棒性。其低寄生电感设计进一步优化了高频性能，减少开关过程中的振铃现象。整体结构经过严格测试，满足高温高湿反偏（H3TRB）等可靠性验证标准，适合用于高可用性电源系统。
UR233L-33-AB3-C-R广泛应用于各类高性能电力电子系统中，尤其适用于需要高效率、高频率和高功率密度的现代电源架构。其主要应用场景包括通信电源、数据中心服务器PSU、工业电源模块、UPS不间断电源系统以及光伏（PV）太阳能逆变器。在这些系统中，该器件常被用作PFC（功率因数校正）级中的升压二极管，尤其是在图腾柱（Totem-Pole）PFC拓扑中，发挥其无反向恢复损耗的优势，显著提升满载和轻载效率。此外，它也被集成于车载充电机（OBC）和直流充电桩中，用于高压DC-DC转换环节，以应对新能源汽车对能效和热管理的严苛要求。在高频LLC谐振转换器和混合式逆变器中，UR233L-33-AB3-C-R作为续流或整流元件，帮助降低系统温升，延长使用寿命。其表面贴装封装形式也使其适用于自动化批量生产，适合高端消费电子、医疗设备电源及智能电网设备中的关键整流单元。
UJ3D065016K3S
UF3C-65040K
GSFC08100T
