您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > DMPH6050SK3Q-13

DMPH6050SK3Q-13 发布时间 时间:2025/3/24 15:44:19 查看 阅读:18

DMPH6050SK3Q-13 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用先进的半导体工艺制造。该器件主要适用于需要高效能开关和低导通电阻的应用场景。其封装形式为 LFPAK88,能够提供卓越的散热性能和可靠性。
  该 MOSFET 在高电流应用中表现出色,广泛用于电源管理、电机驱动、负载开关等领域。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:50A
  导通电阻:1.3mΩ
  栅极电荷:97nC
  开关速度:快速
  封装类型:LFPAK88
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃

特性

DMPH6050SK3Q-13 具有非常低的导通电阻 (Rds(on)),这使得它在高电流应用场景下具有极高的效率并减少功耗损失。
  此外,该器件具备出色的热稳定性,能够在高温环境下保持性能稳定。其快速开关特性也使其非常适合高频开关应用。
  另外,内置的 ESD 保护提高了产品的鲁棒性,确保在各种复杂环境中可靠运行。
  该芯片还拥有较小的封装尺寸,便于在紧凑型设计中使用。

应用

1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流器
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动
  3. 负载开关和电池保护电路
  4. 工业自动化设备中的功率控制
  5. 新能源汽车的辅助系统如 DC/DC 转换器

替代型号

DMPH6050SK3Q, DMPH6050SK3Q-14

DMPH6050SK3Q-13推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

DMPH6050SK3Q-13参数

  • 现有数量5,219现货
  • 价格1 : ¥7.55000剪切带(CT)2,500 : ¥2.92305卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)7.2A(Ta),23.6A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)50 毫欧 @ 7A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)25 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1377 pF @ 30 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.9W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-252-3
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63