时间：2025/12/27 9:06:03
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UR233L-30-AB3-C-R是一款由United Silicon Carbide（UnitedSC）公司生产的高性能硅碳化物（SiC）肖特基二极管，专为高效率、高频率和高温工作环境设计。该器件采用先进的SiC材料技术，具备卓越的热导率和击穿电场强度，能够显著提升电源转换系统的整体效率与功率密度。UR233L-30-AB3-C-R属于650V耐压等级的肖特基二极管，适用于诸如服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器、电动汽车车载充电机（OBC）以及不间断电源（UPS）等高端电力电子系统中。其无反向恢复电荷（Qrr ≈ 0）的特性有效降低了开关损耗，提升了系统在高频下的能效表现。此外，该器件采用行业标准的TO-252（DPAK）封装，便于在现有PCB布局中进行替换与集成，并具备良好的散热性能。产品符合RoHS环保标准，并通过AEC-Q101车规级可靠性认证，适合在严苛环境下长期稳定运行。UR233L-30-AB3-C-R的低正向压降（Vf）和优异的温度稳定性使其在重载和高温工况下仍能保持出色的性能表现，是传统硅基快恢复二极管和超快恢复二极管的理想升级方案。
型号：UR233L-30-AB3-C-R
制造商：United Silicon Carbide (UnitedSC)
器件类型：碳化硅肖特基二极管
反向重复电压（VRRM）：650 V
平均正向整流电流（IF(AV)）：30 A
峰值非重复浪涌电流（IFSM）：300 A
正向压降（VF）@25°C：1.45 V @ 30A
工作结温范围（TJ）：-55 °C 至 +175 °C
储存温度范围（TSTG）：-55 °C 至 +175 °C
热阻结到壳（RθJC）：1.2 °C/W
封装形式：TO-252 (DPAK)
安装方式：表面贴装
反向漏电流（IR）@25°C：100 μA @ 650V
反向漏电流（IR）@150°C：5 mA @ 650V
无反向恢复电荷（Qrr）：典型值接近0 C
UR233L-30-AB3-C-R的核心优势在于其基于碳化硅（SiC）半导体材料构建的肖特基势垒结构，这种结构从根本上消除了PN结二极管中存在的少数载流子存储效应，从而实现了近乎零的反向恢复电荷（Qrr ≈ 0）和极短的反向恢复时间（trr）。这一特性对于高频开关应用至关重要，因为它可以大幅减少开关过程中的能量损耗，尤其是在硬开关拓扑如PFC（功率因数校正）、LLC谐振变换器和DC-DC转换器中，能够显著提升系统效率并降低EMI干扰水平。此外，由于没有反向恢复电流尖峰，减少了对主开关器件（如MOSFET或IGBT）的应力冲击，提高了整个系统的可靠性和寿命。
该器件具备出色的热稳定性，其正向压降随温度变化较小，且在高温下仍能维持较低的导通损耗。即使在150°C的结温条件下，反向漏电流也控制在合理范围内（典型值5mA），确保了在高温环境下的稳定运行。同时，高达+175°C的最大工作结温允许设计者在紧凑空间内实现更高功率密度的设计，无需过度依赖复杂散热结构。TO-252封装不仅支持自动化贴片生产，还提供了良好的热传导路径，便于通过PCB铜层进行散热管理。该器件还具备优异的抗浪涌能力，可承受高达300A的非重复浪涌电流，增强了在电网波动或启动瞬态条件下的鲁棒性。整体而言，UR233L-30-AB3-C-R结合了高效、高可靠与易集成的特点，是现代绿色能源和电动交通领域中不可或缺的关键元件。
UR233L-30-AB3-C-R广泛应用于各类高效率电源转换系统中。在通信电源和服务器电源领域，它常用于有源钳位反激、图腾柱PFC电路中作为输出整流或辅助侧同步整流，帮助实现98%以上的系统效率。在工业电源设备中，如激光电源、焊接设备和变频器，该器件用于直流链路续流或能量回馈路径，提升动态响应并降低温升。在新能源发电系统中，特别是光伏微型逆变器和组串式逆变器中，UR233L-30-AB3-C-R凭借其零反向恢复特性，在提高MPPT效率的同时降低了电磁干扰，有助于满足严格的EMI认证要求。在电动汽车领域，该二极管可用于车载充电机（OBC）中的升压PFC级或DC-DC转换模块，支持双向能量流动并提升整体充电效率。此外，在储能系统（ESS）和不间断电源（UPS）中，UR233L-30-AB3-C-R可用于电池充放电管理电路和逆变桥臂续流路径，确保长时间运行的稳定性和安全性。由于其符合AEC-Q101车规标准，也适用于车载辅助电源和DC-DC转换器等汽车电子场景。其高电流承载能力和优良热性能使其特别适合需要紧凑设计但高功率输出的应用场合。
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"C3D30065D",
"SCH3065A",
"GSID30SC65C",
"CMF30120D"
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