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V32YAB36 发布时间 时间:2025/8/6 16:24:02 查看 阅读:17

V32YAB36 是一款由 Vishay Siliconix 生产的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)集成电路,具有高性能和可靠性,适用于多种功率管理应用。这款器件采用先进的硅技术,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,是电源转换和功率控制应用的理想选择。V32YAB36 通常用于DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统和工业自动化设备中。

参数

类型:MOSFET
  漏源电压(Vds):30V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):12A
  导通电阻(Rds(on)):40mΩ(典型值)
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:PowerPAK SO-8

特性

V32YAB36 是一款N沟道增强型MOSFET,具有出色的电气性能和热管理能力。其低导通电阻确保了在高电流应用中的最小功率损耗,提高了整体效率。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术,提供更高的电流密度和更低的开关损耗,使其适用于高频开关应用。
  此外,V32YAB36 具有良好的栅极电荷特性,减少了开关过程中的能量损耗,提高了系统的响应速度。该MOSFET还具备优异的雪崩能量承受能力,增强了器件在高压瞬态条件下的可靠性,适用于需要高稳定性和耐用性的应用环境。
  在封装方面,V32YAB36 采用 PowerPAK SO-8 封装,具有优异的热传导性能,能够有效降低工作温度,延长器件的使用寿命。该封装设计还支持表面贴装工艺,提高了PCB布局的灵活性和空间利用率。这些特性使V32YAB36 成为工业电源、汽车电子、消费类电子产品和便携式设备中的理想选择。

应用

V32YAB36 MOSFET 可广泛应用于多个领域,包括电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器和电池保护电路。其低导通电阻和高电流能力使其适用于高效能电源转换设备,如笔记本电脑、服务器电源、UPS系统和LED照明驱动器。此外,该器件还可用于汽车电子系统中的功率控制模块,如电动助力转向系统、车载充电器和智能电池管理系统,提供可靠和高效的功率管理解决方案。

替代型号

Si4410BDY-T1-GE3, FDS4410A, IRF7413, AO4406A

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