型号：UR133G-33-AB3-C-R
　　制造商：UnitedSiC (Qorvo)
　　产品类型：肖特基二极管阵列
　　技术材料：碳化硅（SiC）
　　配置：双二极管（共阴极或反向串联）
　　峰值重复反向电压 VRRM：33V
　　直流反向电压 VR：33V
　　平均整流电流 IO：1.5A
　　峰值非重复浪涌电流 IFSM：50A
　　正向压降 VF1：典型值0.82V @ 1A, 25°C
　　正向压降 VF2：最大值1.05V @ 1A, 25°C
　　反向恢复时间 trr：≤15ns
　　工作结温范围 TJ：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围 TSTG：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：SMA (DO-214AC)
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　引脚数：2
　　热阻 RθJA：约80°C/W
　　热阻 RθJC：约25°C/W

UR133G-33-AB3-C-R的核心优势在于其采用碳化硅（SiC）半导体材料所赋予的卓越电学性能。与传统的硅肖特基二极管相比，SiC材料具有更宽的禁带宽度（约3.2eV），这使得该器件能够在更高的温度下稳定运行，同时显著降低漏电流，尤其是在高温环境下表现出极佳的稳定性。在正向导通状态下，UR133G-33-AB3-C-R展现出较低的正向压降（VF），典型值仅为0.82V@1A，在大电流负载条件下有效减少导通损耗，提高电源系统的整体转换效率。更重要的是，该器件几乎不存在反向恢复电荷（Qrr），反向恢复时间（trr）被控制在15纳秒以内，这意味着在高频开关过程中不会产生明显的反向恢复电流尖峰，从而大幅降低了开关损耗和电磁干扰（EMI），提升了系统的工作频率上限和动态响应能力。
　　该器件的双二极管结构设计使其能够灵活应用于多种拓扑结构中，例如在升压PFC电路中用作续流二极管，或者在LLC谐振变换器中作为同步整流辅助二极管。其快速的开关特性和低损耗特性有助于实现更高功率密度的设计目标。此外，UR133G-33-AB3-C-R具备出色的抗浪涌能力，可承受高达50A的峰值非重复浪涌电流，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。其SMA封装不仅体积小巧，便于集成到紧凑型PCB布局中，而且具备良好的热传导路径，通过优化PCB焊盘设计可以进一步改善散热效果。该器件还通过了AEC-Q101等可靠性认证，适用于严苛环境下的长期运行。综上所述，UR133G-33-AB3-C-R凭借其高性能、高可靠性和高集成度，成为现代高效能电源设计中的关键元件之一。

UR133G-33-AB3-C-R主要应用于对效率和功率密度要求较高的电力电子系统中。在通信电源和服务器电源领域，它被广泛用于功率因数校正（PFC）级电路中作为升压二极管，利用其低VF和零Qrr特性来降低导通与开关损耗，满足80 PLUS钛金等高能效标准的要求。在光伏逆变器和储能系统中，该器件可用于直流母线侧的防反接保护或能量回馈路径，确保系统在复杂光照条件下的稳定运行。此外，在电动汽车车载充电机（OBC）和直流快充桩中，UR133G-33-AB3-C-R因其高耐温能力和快速响应特性，常被用于辅助电源、DC-DC变换模块以及隔离式拓扑中的副边整流环节。
　　工业自动化设备中的开关电源模块也大量采用此类碳化硅二极管，以提升设备的整体效率并减少冷却成本。在LED驱动电源中，特别是在高亮度照明应用中，UR133G-33-AB3-C-R可用于提高电源效率并延长灯具寿命。此外，由于其良好的EMI表现，该器件也非常适合用于医疗电子设备和精密仪器中的电源部分，这些应用场景对噪声敏感且对安全性要求极高。最后，在消费类电子产品如高端笔记本电脑适配器、游戏主机电源等追求小型化和高效化的设备中，UR133G-33-AB3-C-R同样发挥着重要作用，帮助工程师实现更轻薄、更节能的产品设计。

UF3407
　　VS-1.5UCS3D