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UR133-1.5V-C 发布时间 时间:2025/12/27 8:59:23 查看 阅读:23

UR133-1.5V-C是一款由United Silicon Carbide(UnitedSiC,现已被Qorvo收购)推出的高性能硅碳化物(SiC)肖特基二极管。该器件采用先进的SiC材料技术制造,具有出色的热性能、高频开关能力和低导通损耗,适用于高效率、高功率密度的电源转换系统。UR133-1.5V-C属于UnitedSiC的UDx系列,专为满足现代电力电子应用中对高效能和高可靠性的需求而设计。其额定反向电压为1200V,平均正向电流为3A,是工业电源、太阳能逆变器、电动汽车充电系统以及不间断电源(UPS)等应用中的理想选择。由于采用了SiC材料,该二极管在高温环境下仍能保持稳定的电气性能,并且具备零反向恢复电荷(Qrr ≈ 0),显著降低了开关过程中的能量损耗,从而提升了整体系统效率。
  该器件封装形式为TO-220AC或类似通孔封装,便于散热管理与PCB安装,适合自然冷却或配备散热片的应用场景。UR133-1.5V-C无需复杂的驱动电路即可直接并联使用,提高了系统设计的灵活性。此外,其快速的动态响应特性使其能够在高频PWM控制下稳定工作,减少电磁干扰(EMI)并提高电源系统的功率因数。

参数

器件型号:UR133-1.5V-C
  制造商:UnitedSiC(Qorvo)
  二极管类型:SiC Schottky Diode
  最大反向电压(VRRM):1200V
  平均正向电流(IF(AV)):3A
  峰值正向浪涌电流(IFSM):50A(half sine, 60Hz)
  正向电压降(VF):典型值1.5V @ 3A, 25°C
  反向漏电流(IR):≤ 200μA @ 1200V, 25°C;≤ 4mA @ 1200V, 150°C
  工作结温范围(TJ):-55°C 至 +175°C
  存储温度范围(TSTG):-55°C 至 +175°C
  热阻结至外壳(RθJC):约5°C/W
  封装类型:TO-220AC

特性

UR133-1.5V-C的核心优势在于其基于碳化硅(SiC)材料的肖特基势垒结构,这种结构从根本上消除了传统硅基PN结二极管所存在的少数载流子存储效应,因此不具备反向恢复电荷(Qrr ≈ 0)。这一特性使得该二极管在高频开关应用中表现出色,能够极大降低开关损耗,尤其是在硬开关拓扑如LLC谐振变换器、图腾柱PFC电路和DC-DC升压级中。由于没有反向恢复电流,系统中的电压尖峰和电磁干扰(EMI)也显著减少,从而简化了滤波电路设计并提高了整体可靠性。此外,在高温工况下,SiC材料的宽禁带特性确保了器件即使在150°C以上的结温下仍能维持较低的漏电流和稳定的VF性能,远优于传统硅快恢复二极管(FRED)。
  该器件具备优异的热导率和长期稳定性,可在恶劣环境条件下长期运行而不发生性能退化。其高达175°C的最大工作结温允许在紧凑型电源设计中减少散热器尺寸甚至实现无风扇散热,有助于提升功率密度。UR133-1.5V-C还具有良好的雪崩耐受能力,增强了在瞬态过压情况下的鲁棒性。由于其正向压降随温度变化较小,多个器件可安全并联以扩展电流处理能力,无需额外的均流措施。这为大功率系统提供了更高的设计自由度。同时,TO-220AC封装具备良好的机械强度和电气绝缘性能,适用于工业级和汽车级应用场景。总体而言,UR133-1.5V-C通过结合SiC材料的物理优势与优化的器件结构,实现了高效、高可靠性和高频率操作的统一,是现代绿色能源和高功率电子系统的优选组件。

应用

UR133-1.5V-C广泛应用于各类高效率电力电子系统中。在工业电源领域,它常用于服务器电源、通信电源和高端AC-DC适配器中的输出整流或PFC升压级,帮助实现超过96%的系统效率。在可再生能源系统中,该二极管被用于光伏(PV)逆变器的直流链路保护和MPPT升压电路,利用其低损耗特性最大化太阳能能量转化效率。在电动汽车基础设施方面,UR133-1.5V-C可用于车载充电机(OBC)和直流快充桩的整流模块,支持高功率密度和高可靠性要求。此外,在UPS不间断电源和储能系统(ESS)中,该器件用于电池充放电管理电路和双向DC-DC变换器,确保能量传输的高效与稳定。由于其出色的高温性能,该二极管也适用于电机驱动器、感应加热设备和高压电源供应器等高温密闭环境下的应用。其高频兼容性还使其成为先进拓扑如图腾柱无桥PFC的理想选择,这类拓扑依赖于零Qrr特性来避免交叉导通问题并提升PF值。总之,凡是对效率、热管理和功率密度有严苛要求的场合,UR133-1.5V-C都能提供卓越的技术支持。

替代型号

UF3C120030K
  GSFC12003T-GMR
  C4D03120A

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