UQCSVA120JAT2A500 是一种高性能的功率 MOSFET 芯片,采用先进的制造工艺以提供卓越的开关性能和低导通电阻。该器件主要应用于高效率电源转换、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高效能功率管理的场景。
它具有极低的导通电阻和快速的开关速度,同时具备出色的热特性和耐用性,使其非常适合对功率密度和能耗有严格要求的应用环境。
型号:UQCSVA120JAT2A500
类型:N沟道 MOSFET
封装:TO-247
VDS(漏源电压):120V
RDS(on)(导通电阻):2.5mΩ
ID(连续漏电流):180A
功耗:360W
栅极电荷:95nC
工作温度范围:-55℃ to +175℃
输入电容:2480pF
UQCSVA120JAT2A500 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻 (RDS(on)) 可降低传导损耗,从而提高系统效率。
2. 快速的开关速度有助于减少开关损耗,适合高频应用。
3. 优化的热设计使芯片能够在高温环境下稳定运行。
4. 高电流承载能力确保其在大功率应用中表现优异。
5. 内置静电保护功能,增强了器件的可靠性。
6. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
这些特性使得该芯片在高效率功率转换和电机控制等应用中表现出色。
UQCSVA120JAT2A500 广泛应用于以下领域:
1. 高效 DC-DC 转换器
2. 电机驱动与控制
3. 不间断电源 (UPS)
4. 太阳能逆变器
5. 电动车牵引逆变器
6. 工业自动化设备中的功率模块
7. 高功率 LED 驱动电路
该器件因其强大的性能和可靠性,成为许多高要求应用的理想选择。
UQCSVA120JAT2A300, UQCSVA120JBT2A500