时间：2025/10/7 3:02:41
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UPZW6101MHD是一款由ROHM（罗姆）半导体公司生产的P沟道功率MOSFET，采用紧凑型封装设计，适用于多种电源管理应用。该器件主要面向需要高效率、低功耗和小尺寸解决方案的便携式电子设备和电池供电系统。UPZW6101MHD凭借其优异的导通电阻特性与快速开关能力，在负载开关、电源路径管理以及DC-DC转换电路中表现出色。该MOSFET的设计注重热性能和可靠性，能够在较宽的工作温度范围内稳定运行，适合工业级和消费类电子产品使用。其封装形式为HMS3（即类似SOT-723的小型表面贴装封装），有助于节省PCB空间并提升整体系统集成度。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具备良好的抗静电能力（ESD保护），增强了在实际应用中的耐用性。作为P沟道MOSFET，UPZW6101MHD在关断高边开关或进行电源切换控制时无需额外的驱动电路，简化了设计复杂度，降低了系统成本。因此，它广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及其他对空间和能效要求较高的嵌入式系统中。
型号：UPZW6101MHD
极性：P沟道
漏源电压（Vds）：-20V
栅源电压（Vgs）：±12V
连续漏极电流（Id）：-2.7A（@ Vgs = -4.5V）
脉冲漏极电流（Idm）：-8.1A
导通电阻Rds(on)：55mΩ（@ Vgs = -4.5V）
导通电阻Rds(on)：70mΩ（@ Vgs = -2.5V）
阈值电压（Vth）：-0.6V ~ -1.0V
输入电容（Ciss）：330pF（@ Vds = 10V）
输出电容（Coss）：190pF（@ Vds = 10V）
反向传输电容（Crss）：40pF（@ Vds = 10V）
栅极电荷（Qg）：4.5nC（@ Vgs = -4.5V）
功耗（Pd）：500mW
工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：HMS3（SOT-723兼容）
UPZW6101MHD具备多项关键特性，使其成为现代低电压电源管理系统中的优选器件。首先，其P沟道结构允许在高边开关配置中直接用于电源通断控制，无需复杂的电平移位或自举电路，从而显著降低外围元件数量和设计难度。其次，该器件拥有较低的导通电阻（Rds(on)），在Vgs = -4.5V条件下仅为55mΩ，这有效减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体能效，尤其适用于电池供电设备以延长续航时间。
此外，UPZW6101MHD在低栅极驱动电压下仍能保持良好性能，例如在Vgs = -2.5V时Rds(on)仅为70mΩ，表明其对低压逻辑信号具有良好的响应能力，兼容3.3V或更低的微控制器输出，提升了系统兼容性。该MOSFET还具备快速的开关速度，得益于较小的栅极电荷（Qg = 4.5nC）和合理的寄生电容设计，使其在频繁启停的应用如负载开关或热插拔控制中表现优异，减少了过渡过程中的能量浪费。
热稳定性方面，UPZW6101MHD采用高热导材料和优化的芯片布局，确保在有限散热条件下也能安全运行。其最大功耗为500mW，结合小型HMS3封装，实现了高性能与紧凑体积的平衡。同时，器件具有宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C），可在恶劣环境温度下可靠工作，适用于工业控制和户外电子设备。
安全性方面，该MOSFET内置一定的ESD防护能力，并通过严格的制造工艺保证批次一致性，减少因器件失效导致的系统故障风险。ROHM对该产品实施严格的质量管控，确保长期供货稳定性，适合大规模量产项目采用。
UPZW6101MHD广泛应用于各类需要高效、小型化电源开关控制的电子系统中。典型应用场景包括便携式消费电子产品中的电源路径管理，例如智能手机和平板电脑中用于电池与主电源之间的切换控制，确保充电与放电过程的安全与高效。此外，它常被用作负载开关，控制特定功能模块（如Wi-Fi模组、摄像头或传感器）的供电通断，实现动态电源管理，降低待机功耗。
在可穿戴设备领域，由于空间极为有限且对能效要求极高，UPZW6101MHD的小尺寸封装和低导通电阻特性使其成为理想选择，可用于主处理器或显示屏的电源门控。在工业手持设备、医疗监测仪器等电池供电系统中，该器件也发挥着重要作用，帮助实现精确的电源分配与节能管理。
此外，UPZW6101MHD适用于DC-DC转换器的同步整流或高端开关部分，尤其是在非隔离式降压（Buck）拓扑中作为上管使用，简化驱动设计。它还可用于热插拔电路，防止电源接入瞬间产生过大浪涌电流，保护后级电路安全。其他应用还包括USB电源开关、I/O扩展器配套开关、FPGA或MCU的辅助电源控制等场景，展现了其高度的通用性和适应性。
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