类型：同步静态随机存取存储器 (Sync SRAM)
　　电压范围：3.3V ± 0.3V
　　存储容量：512K × 32 / 256K × 18（取决于配置）
　　组织结构：524,288 字 x 32 位
　　访问时间：10ns（对应100MHz时钟）
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　封装类型：165-ball Fine-Pitch BGA (FBGA)
　　引脚数量：165
　　数据总线宽度：32位
　　时钟频率最大值：100MHz
　　输入/输出逻辑电平：LVTTL兼容
　　写使能：支持字节写使能（UB/LB）
　　刷新需求：无（静态RAM）

CY7C1361C-100AXC具备多项关键特性，使其成为高性能嵌入式系统和通信基础设施的理想选择。首先，其同步架构确保所有读写操作均与时钟信号严格对齐，消除了异步SRAM中存在的地址建立和保持时间不确定性，从而提升了系统的时序可控性和整体稳定性。该器件支持突发模式操作，能够在一个连续的时钟序列中自动递增地址并完成多个数据传输，极大提高了数据吞吐效率，特别适用于高速缓存、帧缓冲或DMA传输等应用场景。
　　其次，CY7C1361C-100AXC集成了字节写使能功能，允许用户独立控制高位字节（Upper Byte）和低位字节（Lower Byte）的写入操作。这一特性在处理非对齐数据或仅需更新部分数据总线内容时非常有用，避免了额外的读-修改-写操作，降低了系统开销并提升了响应速度。同时，该器件支持全局写使能（Global Write Enable），可在需要时一次性禁用所有写操作，增强系统安全性与控制灵活性。
　　再者，该SRAM采用先进的CMOS工艺制造，实现了高速与低功耗的良好平衡。在正常工作模式下，其核心功耗较低；而在待机或空闲状态下，可通过CE#（片选）信号进入低功耗模式，显著减少静态电流消耗，有助于延长便携式设备的电池寿命或降低数据中心的散热负担。此外，其输出驱动能力经过优化，兼容LVTTL电平标准，可直接连接到多种常见的微处理器、FPGA和ASIC芯片，减少了外部电平转换电路的需求。
　　最后，CY7C1361C-100AXC具有高可靠性和工业级质量认证，支持宽范围的工作温度（商业级0°C至+70°C），并通过了严格的ESD保护测试和闩锁免疫测试，确保在恶劣电磁环境中仍能稳定运行。其封装形式为165-ball FBGA，具有优良的热性能和机械稳定性，适合自动化贴装工艺，广泛应用于电信交换机、路由器、工业控制器和测试测量设备中。

CY7C1361C-100AXC广泛应用于需要高速、低延迟数据存储的各种电子系统中。典型应用包括网络通信设备如千兆以太网交换机、路由器和光传输设备，其中用作数据包缓冲区、查找表缓存或协议处理中间存储，利用其突发读写能力和低访问延迟提升系统吞吐量。在工业自动化领域，该器件常用于PLC控制器、运动控制卡和人机界面（HMI）系统中，作为程序暂存区或实时数据采集的中间缓存，保障控制系统响应的及时性与准确性。
　　此外，在测试与测量仪器如示波器、逻辑分析仪和信号发生器中，CY7C1361C-100AXC可用于高速采样数据的临时存储，配合FPGA或DSP进行实时信号处理。在军事与航空航天电子系统中，尽管该型号为商业级温度范围，但在非极端环境下也可用于雷达信号预处理、导航计算单元等对可靠性要求较高的场合。消费类高端设备如专业音视频编辑设备、广播级摄像机和数字影院服务器也可能采用此类同步SRAM来支持高分辨率媒体流的实时处理。由于其32位宽数据总线和同步接口，特别适合搭配PowerPC、ARM Cortex-A系列或Xilinx MicroBlaze等嵌入式处理器使用，构建高性能嵌入式计算平台。

CY7C1361C-100BZC
　　CY7C1361C-100AXI
　　IS61WV51236BLL-10BLI
　　MT58LC25632AGP-10
　　AS7C3351233IBZ-10BIN