时间：2025/10/7 13:36:49
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UPX1A332MHD是一款由United Silicon Carbide（联合碳化硅）公司生产的高性能硅基氮化镓（GaN-on-Si）功率场效应晶体管（FET）。该器件采用先进的氮化镓技术，相较于传统的硅基MOSFET，在开关速度、导通电阻和功率密度方面具有显著优势。UPX1A332MHD专为高频率、高效率的电源转换应用而设计，适用于诸如服务器电源、电信整流器、工业电源以及太阳能逆变器等要求严苛的应用场景。该器件封装在一种热性能优越、电感极低的高级功率封装中，有助于提升系统整体的可靠性和散热性能。其设计目标是帮助工程师实现更小体积、更高效率和更高功率密度的电源系统解决方案。此外，该器件具备良好的抗瞬态电压能力和鲁棒的栅极驱动兼容性，可与标准的栅极驱动器配合使用，简化了系统设计流程。由于采用了氮化镓材料，该器件能够在更高的开关频率下工作，从而减小磁性元件和电容的尺寸，进一步推动系统小型化。
类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
漏源电压（VDS）：650 V
连续漏极电流（ID）：33 A（Tc=25°C）
脉冲漏极电流（ IDM）：110 A
导通电阻（RDS(on)）：75 mΩ（典型值，VGS=12V）
栅源阈值电压（Vth）：3.0 V（典型值）
输入电容（Ciss）：4500 pF
输出电容（Coss）：1200 pF
反向恢复电荷（Qrr）：0 C（无体二极管反向恢复）
栅极电荷（Qg）：85 nC
工作结温范围（Tj）：-40°C 至 +150°C
封装类型：Power DFN 8x8 mm 或类似高功率密度封装
关断时间（toff）：约 25 ns（取决于测试条件）
开启时间（ton）：约 20 ns
UPX1A332MHD的核心特性之一是其基于氮化镓半导体材料的增强型（e-mode）结构，这使得器件在零栅极电压下处于自然关断状态，极大提升了系统的安全性和可靠性，避免了耗尽型氮化镓器件需要负压关断的复杂驱动电路设计。该器件具备极低的导通电阻（RDS(on)），仅为75毫欧，有效降低了导通损耗，尤其是在大电流应用场景下表现优异。同时，其极低的寄生电容和极快的开关速度使其在高频开关操作中表现出色，大幅减少了开关损耗，从而提高整个电源系统的能效。器件的反向恢复电荷（Qrr）几乎为零，这是由于氮化镓FET不具备传统硅MOSFET中的PN结体二极管，因此在硬开关或同步整流应用中不会产生反向恢复电流，显著降低了电磁干扰（EMI）和交叉导通风险。
另一个关键特性是其出色的热性能和机械封装设计。该器件采用低热阻封装，能够高效地将芯片产生的热量传导至PCB，支持高功率密度布局。封装还优化了内部引线和焊料工艺，以减少寄生电感，从而在高速开关过程中抑制电压过冲和振铃现象，提高系统稳定性。此外，UPX1A332MHD具备良好的抗雪崩能力，并通过了严格的可靠性测试，包括高温高压栅极偏置（HV-H3TRB）、高温反向偏置（HTRB）和温度循环测试，确保在恶劣工作环境下仍能稳定运行。其栅极驱动电压范围通常为4.5V至12V，兼容主流的隔离式和非隔离式栅极驱动IC，便于集成到现有设计中。最后，该器件支持并联使用，由于其正温度系数的导通电阻特性，在多管并联时能实现良好的电流均衡，适合构建更高功率等级的电源模块。
UPX1A332MHD广泛应用于对效率、功率密度和开关频率有极高要求的现代电力电子系统中。在数据中心和服务器电源（如48V中间总线转换器、图腾柱PFC电路）中，该器件能够显著提升转换效率并缩小电源体积，满足绿色能源和节能法规的要求。在通信电源领域，例如5G基站电源和电信整流器，其高频工作能力有助于降低磁性元件尺寸，适应紧凑型部署需求。在工业电源应用中，如高精度焊接设备、激光电源和不间断电源（UPS），UPX1A332MHD的快速响应和低损耗特性可提升系统动态性能和运行可靠性。此外，该器件也适用于可再生能源系统，如光伏（PV）微逆变器和储能系统中的DC-DC转换器，利用其高效率优势最大化能量回收。在电动汽车充电基础设施中，无论是车载充电机（OBC）还是直流充电桩的功率级设计，该氮化镓FET都能提供更高的功率密度和更快的充电速度。同时，其优异的EMI性能使其在消费类高端电源适配器（如笔记本电脑、游戏主机的GaN充电器）中也有广泛应用潜力。得益于其宽泛的工作温度范围和高可靠性，该器件还可用于部分航空电子和铁路牵引辅助电源系统中，作为关键开关元件。
UPA651HG
GAN501GBS
GS-065-033-1-L
