型号：SY100ELT20VZI TR
　　封装类型：TSSOP-8
　　电源电压：2.3V 至 5.5V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　最大工作频率：100 MHz
　　逻辑类型：CMOS
　　输入类型：单端
　　输出类型：差分
　　传输延迟：典型值为8.5ns
　　静态电流：最大10μA
　　输出电流能力：±8mA

SY100ELT20VZI TR 具备多项优异特性，使其在电平转换应用中表现出色。首先，其工作电压范围较宽（2.3V至5.5V），允许该芯片在多种电源环境下运行，提高了系统的兼容性和灵活性。该芯片支持高达100 MHz的工作频率，适合用于高速信号传输场景，如串行通信、时钟信号转换等。
　　其次，该芯片采用CMOS工艺制造，具有低功耗特性，静态电流最大仅为10μA，有助于降低整体功耗，适用于对能效要求较高的便携式设备和低功耗系统。此外，其输出具有±8mA的驱动能力，能够有效驱动负载，确保信号完整性。
　　在信号完整性方面，SY100ELT20VZI TR 的传输延迟时间典型值为8.5ns，且具有较低的传播延迟偏差，确保了在高速应用中信号的同步性和稳定性。该芯片还具备良好的抗干扰能力，能够有效抑制噪声，确保数据传输的可靠性。
　　封装方面，SY100ELT20VZI TR 采用8引脚TSSOP封装，体积小巧，适用于高密度PCB布局，并支持表面贴装工艺，便于自动化生产。综合来看，SY100ELT20VZI TR 是一款性能稳定、功耗低、适应性强的高速电平转换器芯片，广泛适用于各种高速数字系统。

SY100ELT20VZI TR 主要用于需要进行电平转换的高速数字电路中。常见的应用包括通信设备中的信号转换、工业控制系统中的接口电平匹配、消费类电子产品中的多电压域信号转换等。例如，在FPGA或微控制器与外围设备之间存在不同逻辑电平的情况下，该芯片可用于实现可靠的信号传输。此外，它也可用于高速ADC/DAC接口、时钟分配系统和数据采集系统中，以确保信号的完整性。由于其低功耗特性和宽电压范围，该芯片在便携式设备和电池供电系统中也有广泛应用。

SY100ELT20VZCTR, SY100ELT20VZI, SY100ELT20VZY