时间：2025/10/7 3:15:34
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UPW2V2R2MPD是一款由ROHM Semiconductor生产的P沟道功率MOSFET，采用先进的工艺技术制造，专为高效率电源管理应用设计。该器件封装在紧凑的表面贴装PowerMOS8封装中，具有低导通电阻和优异的热性能，适用于需要高效能和小尺寸解决方案的应用场景。UPW2V2R2MPD特别适合用于负载开关、电池供电设备中的电源控制以及DC-DC转换器等电路中。其P沟道结构允许在高端开关配置中直接驱动，无需额外的电平移位电路，从而简化了系统设计并减少了元件数量。此外，该MOSFET具备良好的栅极耐压能力，能够承受一定的过压情况而不损坏，提高了系统的可靠性。器件的工作结温范围通常可达-55°C至+150°C，确保其在各种环境条件下稳定运行。ROHM的产品以高质量和高可靠性著称，UPW2V2R2MPD也不例外，经过严格测试以确保长期使用的稳定性与一致性。
型号：UPW2V2R2MPD
类型：P沟道
最大漏源电压（VDS）：-20V
最大漏极电流（ID）：-4.4A
导通电阻（RDS(on)）：22mΩ @ VGS = -4.5V, 2.2A；30mΩ @ VGS = -2.5V, 1.7A
栅源电压（VGS）：±12V
阈值电压（Vth）：-0.6V ~ -1.0V
输入电容（Ciss）：约400pF
输出电容（Coss）：约190pF
反向恢复时间（trr）：未指定
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：PowerMOS8（SMT）
极性：P-Channel
功耗（Ptot）：1.5W
导通延迟时间（td(on)）：约10ns
关断延迟时间（td(off)）：约25ns
UPW2V2R2MPD具备出色的电气性能和热稳定性，其核心优势之一是极低的导通电阻，在VGS = -4.5V时仅为22mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了整体能效。这对于便携式电子设备尤为重要，因为这些设备对电池寿命有严格要求。低RDS(on)还意味着在大电流切换过程中产生的热量更少，有助于减少散热设计复杂度。
该器件采用ROHM专有的PowerMOS8封装技术，这种封装不仅体积小巧，便于在空间受限的设计中使用，而且具有优良的散热性能。封装底部集成了大面积裸露焊盘，可通过PCB上的热过孔将热量迅速传导至地层或散热层，有效降低热阻，提高功率处理能力。此外，PowerMOS8封装符合RoHS标准，支持无铅回流焊接工艺，适应现代绿色制造需求。
UPW2V2R2MPD的栅极驱动特性优化良好，可在低至-2.5V的栅源电压下实现有效的导通控制，使其兼容3.3V或更低逻辑电平的控制器输出，无需额外的电平转换电路。这一特性极大地简化了数字控制接口设计，尤其适用于由微控制器或电源管理IC直接驱动的应用场景。
器件具有较高的抗噪能力和稳定的开关行为，得益于其内部结构设计和工艺控制，能够在高频开关操作中保持较低的开关损耗。同时，其寄生参数如输入和输出电容均经过优化，有助于减少动态损耗并提升系统效率。此外，该MOSFET具备一定的雪崩能量承受能力，增强了在异常工况下的鲁棒性。
UPW2V2R2MPD还通过了严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）和温度循环测试，确保其在恶劣工作环境中长期稳定运行。综合来看，这款P沟道MOSFET在性能、尺寸和可靠性之间实现了良好平衡，是现代高效电源系统中的理想选择。
UPW2V2R2MPD广泛应用于多种电源管理领域，尤其适合需要高集成度和高效率的便携式电子产品。一个典型应用场景是作为负载开关，在智能手机、平板电脑和可穿戴设备中用于控制不同功能模块的供电，例如显示屏背光、传感器模块或无线通信单元的电源启停。由于其低导通电阻和快速开关特性，能够实现高效的电源隔离与节能管理。
在电池供电系统中，该器件可用于电池保护电路或充放电路径控制，配合充电管理IC实现安全可靠的充放电管理。其P沟道结构特别适合用于高端开关配置，可以直接由控制器驱动而无需复杂的电平移位电路，从而降低系统成本和设计复杂度。
此外，UPW2V2R2MPD也常用于同步降压转换器（Buck Converter）中的上管开关，尤其是在输入电压较低（如5V或3.3V）的场合。虽然N沟道MOSFET通常在效率上更具优势，但在低电压系统中，P沟道器件因其驱动简便而被广泛采用。该器件的低栅极电荷和快速响应能力有助于提高转换器的整体效率和瞬态响应性能。
其他应用还包括电源多路复用、热插拔控制、DC-DC电源模块、工业控制板卡的电源排序以及各类消费类电子产品的电源管理单元。由于其小型化封装和良好的热性能，非常适合高密度PCB布局和自动化贴片生产。
RJK0357DPB-TR
RJK0356DPB-TR
Si2301DS
AO3415
