型号：UPW2V010MPH
　　类型：P沟道
　　最大漏源电压(VDSS)：-20V
　　最大栅源电压(VGS)：±12V
　　最大连续漏极电流(ID)：-1.9A
　　最大脉冲漏极电流(IDM)：-4.8A
　　最大导通电阻(RDS(ON))：165mΩ @ VGS = -4.5V
　　最大导通电阻(RDS(ON))：200mΩ @ VGS = -2.5V
　　阈值电压(Vth)：-0.8V ~ -1.4V
　　输入电容(Ciss)：330pF @ VDS = 10V
　　输出电容(Coss)：210pF @ VDS = 10V
　　反向传输电容(Crss)：40pF @ VDS = 10V
　　栅极电荷(Qg)：4.5nC @ VGS = -10V
　　体二极管正向电压(VSD)：-0.9V @ IS = -0.5A
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：UMT3

UPW2V010MPH具备多项关键特性，使其在同类P沟道MOSFET中表现出色。首先，其低导通电阻显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了整体能效，这对于电池供电设备尤为重要。例如，在负载开关或电源切换应用中，低RDS(ON)意味着更小的压降和发热，有助于延长电池寿命并减少散热需求。其次，该器件具有较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），这使得它能够实现快速开关响应，降低开关损耗，适用于高频开关电源设计。同时，较小的Crss（反向传输电容）有效抑制了米勒效应，提升了器件在高速开关过程中的抗干扰能力，防止误触发。
　　另一个重要特性是其稳定的阈值电压范围（-0.8V至-1.4V），确保了在不同工艺偏差和温度变化下仍能可靠开启和关断。这种一致性对于保证系统稳定性至关重要，尤其是在使用逻辑电平驱动时。此外，UPW2V010MPH具备良好的热稳定性，其最大工作结温可达+150°C，并配有适当的热阻参数，可在高温环境中持续运行而不发生性能退化。器件还内置了耐用的体二极管，支持反向电流导通，适用于需要续流路径的应用场合，如电机驱动或DC-DC转换器。
　　从可靠性角度看，UPW2V010MPH经过严格的质量认证，符合RoHS指令和无卤素要求，适用于绿色环保电子产品设计。其采用的UMT3封装不仅体积小巧，便于高密度布局，而且具备良好的焊接可靠性和机械强度。此外，该器件对静电放电（ESD）具有较强的防护能力，增强了生产过程中和实际使用中的鲁棒性。综合这些特性，UPW2V010MPH成为许多高性能、低功耗电源管理系统的理想选择。

UPW2V010MPH广泛应用于各类便携式消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑、智能手表和其他可穿戴设备，主要用于电源开关、电池隔离、负载切换和反向电流保护等场景。在这些设备中，它常被用作主电源与子系统之间的开关元件，以实现按需供电，达到节能目的。此外，该器件也常见于USB电源管理电路中，用于控制外设供电或进行过流保护。在工业控制系统中，UPW2V010MPH可用于小型继电器驱动、传感器模块供电控制以及低功率DC-DC转换器中的同步整流或上桥臂开关。
　　由于其具备良好的开关特性和低静态功耗，该MOSFET非常适合用于待机模式下的电源切断功能，帮助系统进入低功耗休眠状态。在电池管理系统（BMS）中，它可以作为充放电路径的选择开关，配合保护IC实现对锂电池的安全管理。另外，在LED背光驱动或指示灯控制电路中，UPW2V010MPH也能胜任低侧或高侧开关角色，提供精确的通断控制。得益于其小型封装和高集成度优势，该器件特别适合空间受限的应用环境，例如微型模块电源或高度集成的PMU（电源管理单元）设计。总之，凡是需要高效、可靠且紧凑型P沟道开关解决方案的场合，UPW2V010MPH均是一个优选方案。

DMG2302UK-7
　　SI2301-ADJ
　　AO3401A
　　FDD94N12A