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UPW2G101MRD 发布时间 时间:2025/10/7 4:22:11 查看 阅读:8

UPW2G101MRD是一款由Rohm Semiconductor(罗姆半导体)生产的功率MOSFET器件,主要用于高效率、高频率的电源转换应用。该器件采用先进的沟道MOSFET制造工艺,具有低导通电阻、快速开关特性以及优异的热稳定性,适用于现代电子设备中对能效和空间利用要求较高的场合。UPW2G101MRD属于N沟道MOSFET类型,广泛用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理电路以及便携式电子产品中的电源管理系统。该器件封装在小型化的表面贴装封装(如TSOP或DFN类封装)中,有助于节省PCB空间并提升整体系统集成度。其设计兼顾了性能与可靠性,在高温环境下仍能保持稳定的电气特性,适合工业级和消费类应用场景。
  作为罗姆高性能MOSFET产品线的一员,UPW2G101MRD在制造过程中遵循严格的品质控制标准,并符合RoHS环保要求。该器件具备良好的抗静电能力(ESD保护)和栅极氧化层可靠性,能够在恶劣工作条件下长期稳定运行。此外,其优化的寄生参数(如输入/输出电容、反向恢复时间等)有效降低了开关损耗,提升了电源系统的整体效率。对于需要轻载高效、快速响应和紧凑布局的设计方案,UPW2G101MRD是一个理想的选择。

参数

型号:UPW2G101MRD
  制造商:ROHM Semiconductor
  器件类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):20V
  栅源电压(Vgs):±12V
  连续漏极电流(Id):6.9A
  脉冲漏极电流(Id_pulse):27A
  导通电阻 Rds(on):最大10.1mΩ(@ Vgs=4.5V)
  导通电阻 Rds(on):最大8.0mΩ(@ Vgs=2.5V)
  阈值电压(Vth):典型值0.6V,范围0.4V~0.8V
  输入电容(Ciss):约880pF(@ Vds=10V)
  输出电容(Coss):约240pF(@ Vds=10V)
  反向传输电容(Crss):约45pF(@ Vds=10V)
  栅极电荷(Qg):约6.5nC(@ Vgs=4.5V)
  反向恢复时间(trr):典型值10ns
  功耗(Pd):最大1.5W
  工作结温范围(Tj):-55°C ~ +150°C
  存储温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装形式:DFN2020BC-6

特性

UPW2G101MRD具备出色的低导通电阻特性,这使其在大电流应用中能够显著降低导通损耗,从而提高电源系统的整体效率。其Rds(on)在Vgs=4.5V时仅为10.1mΩ,在更低驱动电压(如2.5V)下也能保持较低水平(8.0mΩ),表明该器件兼容低压逻辑驱动信号,适合用于由3.3V或更低电压控制器直接驱动的应用场景。这种低阈值电压和低驱动电压下的优异表现,使得它特别适用于电池供电设备,例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的负载开关或电源路径管理。
  该器件采用DFN2020BC-6小型化封装,尺寸紧凑(典型2.0mm x 2.0mm),不仅节省PCB空间,而且具有优良的散热性能,通过底部裸露焊盘可有效将热量传导至PCB地层,提升功率密度和长期可靠性。此外,DFN封装的寄生电感较小,有利于减少高频开关过程中的电压振铃现象,进一步提升系统EMI性能。
  UPW2G101MRD的开关速度非常快,得益于其较低的栅极电荷(Qg=6.5nC)和输入电容,可在高频DC-DC变换器中实现快速开通与关断,减少开关过渡时间,从而降低动态损耗。同时,其反向恢复时间短(trr≈10ns),配合肖特基二极管或同步整流控制器使用时,能有效抑制体二极管反向恢复引起的能量损耗和电流尖峰,提升轻载和瞬态响应性能。
  该MOSFET还具备良好的热稳定性与过载承受能力,能够在结温高达150°C的情况下安全运行,满足大多数工业和消费类产品的环境要求。内置的体二极管具有一定的电流承载能力,可用于续流路径,但建议在关键应用中仍采用外部优化设计以确保可靠性。总体而言,UPW2G101MRD是一款集高效率、小尺寸、强驱动兼容性和高可靠性于一体的先进功率MOSFET器件。

应用

UPW2G101MRD广泛应用于各类需要高效、小型化电源解决方案的电子设备中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的负载开关和电源管理模块,例如智能手机和平板电脑中的LCD背光电源控制、摄像头模组供电切换以及主处理器核心电压调节。由于其支持低电压驱动(2.5V~4.5V),因此非常适合与现代低功耗微控制器或PMU(电源管理单元)协同工作,实现精确的电源域控制。
  在DC-DC转换器拓扑中,UPW2G101MRD常被用作同步整流开关,特别是在降压(Buck)转换器中作为下管(Low-side MOSFET),因其低Rds(on)和快速开关特性可显著提升转换效率,尤其是在中等电流输出(1A~5A)范围内表现优异。此外,它也可用于升压(Boost)或SEPIC等拓扑结构中的开关元件,适用于LED驱动电路、USB PD电源适配器和小型电源模块。
  在电池管理系统中,该器件可用于电池充放电路径的通断控制,起到防反接、过流保护和热插拔管理的作用。其快速响应能力和低静态功耗有助于延长电池续航时间。工业应用方面,UPW2G101MRD可用于传感器模块、IoT节点、无线通信模块(如Wi-Fi、蓝牙模组)的电源开关,提供高效的待机模式管理和动态电源调配功能。

替代型号

RB088M2S,RB084N2S,RB084N2L,RBR2L020N2L,RBR2L020N2H

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UPW2G101MRD参数

  • 制造商Nichicon
  • 产品种类铝质电解电容器 - 带引线
  • 电容100 uF
  • 容差20 %
  • 电压额定值400 Volts
  • 工作温度范围- 40 C to + 105 C
  • 端接类型Radial
  • 尺寸22 mm Dia. x 50 mm L
  • 产品Low Impedance Electrolytic Capacitors
  • 引线间隔10 mm
  • 漏泄电流1700 uAmps
  • 纹波电流350 mAmps
  • 系列PW
  • 工厂包装数量250