型号：UPW2E2R2MPH
　　制造商：Rohm Semiconductor
　　器件类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：-20V
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：-4.4A（@ VGS = -4.5V）
　　脉冲漏极电流（ IDM）：-12A
　　导通电阻 RDS(on)：2.2mΩ（@ VGS = -4.5V）
　　导通电阻 RDS(on)：2.8mΩ（@ VGS = -2.5V）
　　阈值电压（Vth）：-1.0V ~ -1.6V
　　输入电容（Ciss）：570pF（@ VDS = -10V）
　　输出电容（Coss）：190pF（@ VDS = -10V）
　　反向传输电容（Crss）：50pF（@ VDS = -10V）
　　栅极电荷（Qg）：12nC（@ VGS = -4.5V）
　　功耗（Ptot）：2.5W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOP-8（Power SOP）

UPW2E2R2MPH 具备优异的导通性能和开关响应特性，其核心优势在于极低的导通电阻 RDS(on)，在 VGS = -4.5V 条件下仅为 2.2mΩ，这使得在大电流通过时产生的 I2R 损耗显著降低，从而提高了系统的整体能效。这对于电池供电设备尤为重要，因为它可以直接延长续航时间并减少发热问题。该器件在低栅极驱动电压下依然表现出良好的导通能力，在 VGS = -2.5V 时 RDS(on) 仅为 2.8mΩ，表明其适用于采用 3.3V 或更低逻辑电平控制的微控制器直接驱动场景，无需额外的电平转换或驱动电路，简化了系统设计复杂度。
　　该MOSFET采用了罗姆专有的沟道技术，优化了载流子迁移率和沟道分布，提升了器件的一致性和长期可靠性。其快速的开关速度得益于较低的栅极电荷（Qg = 12nC）和合理的寄生电容配置（Ciss=570pF, Crss=50pF），能够在高频PWM控制下实现迅速的导通与关断，减少开关过渡期间的能量损耗，适用于高达数百kHz甚至更高频率的DC-DC变换器拓扑结构，如同步整流 buck 转换器中的高端开关应用。
　　热管理方面，UPW2E2R2MPH 采用增强型散热封装设计，使结到外壳的热阻（Rth(j-c)）保持在较低水平，确保即使在高功率密度下也能有效传导热量。结合其2.5W的最大功耗能力，可在良好PCB布局条件下实现稳定的连续运行。此外，该器件具有良好的抗雪崩能力和过压耐受性，能够在突发的电压瞬变或负载突变情况下维持正常工作，增强了系统的鲁棒性。内置的体二极管也经过优化，具备较快的反向恢复特性，减少了反向恢复电荷（Qrr），避免了不必要的能量浪费和电磁干扰问题。

UPW2E2R2MPH 广泛应用于多种需要高效功率切换和紧凑设计的电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的电源管理模块，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，用于电池充放电控制、负载开关以及多电源路径管理。在这些应用中，其低导通电阻和小封装尺寸使其成为理想选择，既能节省空间又能提升能效。
　　该器件也常用于DC-DC降压（buck）转换器中作为高端开关管，特别是在同步整流架构中配合N沟道MOSFET使用，实现高效的能量转换。由于其支持低电压驱动，因此非常适合与现代低电压微处理器或数字信号处理器（DSP）协同工作，直接由GPIO引脚或专用PMIC输出进行控制，无需外加驱动芯片，降低了整体BOM成本。
　　在工业控制领域，UPW2E2R2MPH 可用于小型电机驱动电路、继电器替代方案（固态开关）、LED恒流驱动电源以及各类传感器供电控制单元。其高可靠性和宽温度工作范围（-55°C 至 +150°C）使其能在恶劣环境条件下稳定运行，适用于汽车电子辅助系统、智能家居控制板以及嵌入式工控设备。
　　此外，该MOSFET还可用于热插拔电路设计中，作为电源隔离开关，防止带电插拔时产生浪涌电流损坏后级电路。凭借其快速响应能力和过流抑制潜力，能够与其他保护电路配合实现软启动和故障保护功能，提升系统安全性。

UPW2E2R2MPT