型号：UPW2D4R7MPD
　　类型：P沟道MOSFET阵列（双通道）
　　漏源电压(VDS)：-20V
　　栅源电压(VGS)：±12V
　　连续漏极电流(ID)：-4.7A（单通道）
　　脉冲漏极电流(IDM)：-18.8A
　　导通电阻(RDS(on))：45mΩ（@ VGS = -4.5V）；55mΩ（@ VGS = -2.5V）
　　阈值电压(VGS(th))：-1.0V 至 -1.6V
　　输入电容(Ciss)：390pF（@ VDS = 10V）
　　反向传输电容(Crss)：45pF（@ VDS = 10V）
　　总栅极电荷(Qg)：8.5nC（@ VGS = -4.5V）
　　工作结温范围(Tj)：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围(Tstg)：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：PowerPAK SO-8L
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　引脚数：8
　　功耗(PD)：2.5W（@ TA = 70°C）

UPW2D4R7MPD采用Vishay专有的TrenchFET技术，这项技术通过优化沟道结构和掺杂分布，显著降低了器件的导通电阻，从而减少了在高电流条件下的功率损耗。每个MOSFET通道的RDS(on)在-4.5V栅压下仅为45mΩ，在低电压应用中表现出优异的效率。该器件为P沟道结构，适用于高边开关配置，无需额外的电荷泵电路即可实现负载的直接控制，简化了电源管理系统的设计复杂度。
　　该MOSFET阵列的双通道设计允许独立控制两个不同的负载或并联使用以承载更大电流，提升了设计灵活性。其快速开关能力得益于较低的栅极电荷（Qg=8.5nC）和输入电容，使得在高频开关应用中能够减少开关延迟和能量损耗，适用于DC-DC转换器中的同步整流或负载切换场景。
　　PowerPAK SO-8L封装具有优异的热传导性能，底部带有裸露焊盘，可通过PCB散热路径有效将热量传递出去，提高了器件在高功率密度环境下的可靠性。该封装还减少了寄生电感，有助于抑制开关过程中的电压尖峰，提升EMI性能。
　　此外，UPW2D4R7MPD具备良好的雪崩耐受能力和抗静电能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定运行。其阈值电压范围合理（-1.0V至-1.6V），确保在逻辑电平信号驱动下可靠导通与关断，兼容多数微控制器输出电平。整体设计兼顾了小型化、高效能与高可靠性，是现代便携式电子设备中理想的功率开关解决方案。

UPW2D4R7MPD广泛应用于需要高效、紧凑型电源管理方案的电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的电源路径管理和电池开关控制。在这些设备中，它可用于实现多电源输入选择、背光驱动控制或外设供电使能等功能。
　　在工业控制和通信设备中，该器件常被用作热插拔控制器或冗余电源切换开关，利用其快速响应特性和低导通损耗保障系统稳定性。此外，在DC-DC降压或升压转换器中，UPW2D4R7MPD可作为高端开关元件参与能量转换过程，特别是在非隔离式拓扑结构中表现良好。
　　由于其良好的热性能和小尺寸封装，也适合用于空间受限的医疗电子设备、物联网终端节点以及智能家居传感器模块中，承担负载开关或电源门控的角色。在汽车电子领域，虽然其电压等级较低，但仍可用于车身控制模块、车载信息娱乐系统的辅助电源管理部分。
　　总体而言，凡是需要低电压、中等电流、高集成度P沟道功率开关的应用场合，UPW2D4R7MPD都是一个可靠且高效的选择，尤其适合追求小型化和高能效的设计需求。

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　　 "Si3463EDB-V2",
　　 "AO4429",
　　 "FDMS7682",
　　 "FDMC86140S",
　　 "CSD17313Q2"
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