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BSC0906NS 发布时间 时间:2025/4/28 16:43:25 查看 阅读:3

BSC0906NS是一款N沟道增强型功率MOSFET,采用小尺寸SOT-23封装。它具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种便携式电子设备中的负载开关、DC-DC转换器、电池保护电路以及其他功率管理应用。该器件的额定电压为30V,最大持续漏极电流为3.7A(在特定条件下),并且具备优异的热稳定性和可靠性。

参数

最大漏源电压(Vds):30V
  最大栅源电压(Vgs):±8V
  漏极电流(Id):3.7A
  导通电阻(Rds(on)):140mΩ(典型值,在Vgs=4.5V时)
  栅极电荷(Qg):4nC
  功耗(PD):450mW
  工作温度范围(Ta):-55℃至+150℃

特性

BSC0906NS采用了先进的工艺制造,其主要特性包括:
  1. 超低导通电阻,可有效减少功率损耗。
  2. 高开关速度,适合高频应用。
  3. 小尺寸SOT-23封装,节省PCB空间。
  4. 提供卓越的静电放电(ESD)保护能力。
  5. 符合RoHS标准,绿色环保。
  6. 可靠性高,能够在恶劣环境下稳定工作。

应用

BSC0906NS广泛应用于各种消费类电子产品及工业领域中,具体应用如下:
  1. 手机、平板电脑等便携式设备中的电源管理。
  2. DC-DC转换器和升压/降压电路。
  3. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
  4. 电池保护电路,例如锂电池充电保护。
  5. 各种负载开关和电机驱动控制。
  6. 数字音频放大器和其他高效能电子设备。

替代型号

AO3400
  FDMQ8203
  IRLML6402

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BSC0906NS参数

  • 数据列表BSC0906NS
  • 标准包装5,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列OptiMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C63A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.5 毫欧 @ 30A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs13nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds870pF @ 15V
  • 功率 - 最大30W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-PowerTDFN
  • 供应商设备封装PG-TDSON-8
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称BSC0906NS-NDBSC0906NSATMA1SP000893360