BSC0906NS是一款N沟道增强型功率MOSFET,采用小尺寸SOT-23封装。它具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种便携式电子设备中的负载开关、DC-DC转换器、电池保护电路以及其他功率管理应用。该器件的额定电压为30V,最大持续漏极电流为3.7A(在特定条件下),并且具备优异的热稳定性和可靠性。
最大漏源电压(Vds):30V
最大栅源电压(Vgs):±8V
漏极电流(Id):3.7A
导通电阻(Rds(on)):140mΩ(典型值,在Vgs=4.5V时)
栅极电荷(Qg):4nC
功耗(PD):450mW
工作温度范围(Ta):-55℃至+150℃
BSC0906NS采用了先进的工艺制造,其主要特性包括:
1. 超低导通电阻,可有效减少功率损耗。
2. 高开关速度,适合高频应用。
3. 小尺寸SOT-23封装,节省PCB空间。
4. 提供卓越的静电放电(ESD)保护能力。
5. 符合RoHS标准,绿色环保。
6. 可靠性高,能够在恶劣环境下稳定工作。
BSC0906NS广泛应用于各种消费类电子产品及工业领域中,具体应用如下:
1. 手机、平板电脑等便携式设备中的电源管理。
2. DC-DC转换器和升压/降压电路。
3. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
4. 电池保护电路,例如锂电池充电保护。
5. 各种负载开关和电机驱动控制。
6. 数字音频放大器和其他高效能电子设备。
AO3400
FDMQ8203
IRLML6402