时间：2025/10/8 11:30:55
阅读：7
UPW2C010MED是一款由Rohm Semiconductor（罗姆半导体）生产的功率MOSFET器件，属于其先进的沟槽栅极和场截止技术的超结MOSFET系列。该器件专为高效率、高频开关电源应用而设计，尤其是在服务器电源、通信电源、工业电源以及DC-DC转换器等对能效和热性能要求严苛的应用中表现出色。UPW2C010MED采用紧凑型表面贴装封装（可能为SOP或类似功率优化封装），有助于在有限空间内实现更高的功率密度。作为N沟道增强型MOSFET，它具有低导通电阻（RDS(on)）、快速开关速度以及良好的热稳定性，能够显著降低传导损耗和开关损耗，从而提升整体系统效率。该器件的工作电压等级通常适用于600V以上的高压应用场景，结合罗姆特有的制造工艺，确保了其在高温和高负载条件下的长期可靠性。此外，UPW2C010MED还具备较强的抗雪崩能力和优良的dv/dt抗扰度，增强了其在复杂电磁环境中的鲁棒性。
型号：UPW2C010MED
制造商：Rohm Semiconductor
器件类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：650 V
最大漏极电流（ID）：10 A（连续）
导通电阻（RDS(on)）：85 mΩ（典型值，@ VGS = 10 V）
栅极阈值电压（Vth）：3.0 V ~ 4.0 V
最大栅源电压（VGS）：±20 V
功耗（PD）：50 W（最大值）
工作结温范围（Tj）：-40°C ~ +150°C
封装类型：SOP Advance 或类似功率增强型表面贴装封装
UPW2C010MED采用了罗姆独有的超结（Super Junction）结构设计，这种结构通过在漂移层中交替排列P型和N型柱状区域，显著降低了单位面积下的导通电阻，同时维持了高击穿电压能力。这一特性使得器件在650V额定电压下仍能实现低至85mΩ的RDS(on)，有效减少了大电流工作时的I2R损耗，提升了电源系统的整体能效。此外，该器件具有优异的开关特性，包括较低的栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），这有助于减少开关过程中的能量损耗，尤其在高频开关应用中表现突出。其优化的寄生参数设计也降低了反向恢复电荷（Qrr）对体二极管的影响，减少了与之配对的续流二极管或同步整流MOSFET的压力。
在热性能方面，UPW2C010MED的封装采用了高热导材料和优化的内部连接工艺，确保热量能够高效地从芯片传递到PCB，从而支持长时间高负载运行而不发生热失效。该器件还具备良好的短路耐受能力和抗雪崩能量（EAS）特性，能够在瞬态过压或负载突变情况下保持稳定工作，提高了系统的安全性和可靠性。此外，其栅极氧化层经过特殊处理，具备较高的抗静电（ESD）能力和长期稳定性，避免因栅极击穿导致的早期失效。得益于罗姆严格的生产控制和质量管理体系，UPW2C010MED在批量应用中表现出一致的电气特性和高良品率，适合自动化贴装和回流焊工艺，广泛应用于追求高效率和高可靠性的现代电力电子设备中。
UPW2C010MED广泛应用于各类高效率开关电源系统中，特别是在需要高功率密度和低能耗的场合。它常用于服务器和数据中心的AC-DC电源模块，作为主开关管或同步整流管，帮助实现80 PLUS钛金或白金级别的能效标准。在通信基础设施领域，该器件可用于基站电源、光传输设备电源单元以及路由器和交换机的板载DC-DC转换器中，提供稳定高效的电压转换能力。此外，在工业自动化设备、医疗电源、UPS不间断电源以及太阳能微逆变器等对可靠性要求极高的系统中，UPW2C010MED凭借其高耐压、低损耗和良好热管理特性，成为关键的功率开关元件。由于其表面贴装封装形式，特别适合自动化生产和紧凑型设计，适用于需要小型化和轻量化的现代电子产品。同时，该器件也可用于PFC（功率因数校正）电路中的升压开关管，配合控制器实现接近1的功率因数，满足IEC 61000-3-2等电磁兼容标准对谐波电流的限制要求。
UPW2C010ME-A, UPW2C010NE-D, SCPH6N60F, STH6N65M5}
