时间：2025/10/6 20:26:12
阅读：7
UPW2A100MED1TD是一款由ROHM Semiconductor（罗姆半导体）生产的P沟道功率MOSFET，采用先进的Trench结构技术制造，专为高效率、低功耗的电源管理应用设计。该器件封装在小型化的表面贴装PowerSSOP（也称PS-8）封装中，具有优良的散热性能和空间利用率，非常适合对尺寸敏感且需要高密度布局的便携式电子设备。UPW2A100MED1TD的最大漏源电压（VDS）为-20V，连续漏极电流（ID）可达-10.3A（在TC=25°C条件下），具备较低的导通电阻，在同类P沟道MOSFET中表现出色。其主要优势在于优化了开关特性和导通损耗，能够在电池供电系统中实现更高的能效转换，延长设备运行时间。该器件广泛应用于负载开关、电源路径管理、DC-DC转换器、热插拔控制器以及各种需要快速开关控制和低静态功耗的场合。ROHM通过严格的工艺控制和可靠性测试，确保该产品在工业级温度范围内稳定工作，满足消费类电子和工业设备的严苛要求。
型号：UPW2A100MED1TD
通道类型：P沟道
最大VDS：-20V
最大VGS：±12V
连续漏极电流（ID）：-10.3A（TC=25°C）
脉冲漏极电流（IDM）：-33A
导通电阻RDS(on)：10mΩ（@ VGS = -4.5V）
导通电阻RDS(on)：8.5mΩ（@ VGS = -6V）
栅极阈值电压（Vth）：-0.7V ~ -1.2V
输入电容（Ciss）：1900pF（@ VDS=10V）
反向恢复时间（trr）：典型值28ns
功耗（PD）：2.5W（TC=25°C）
工作结温范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：PowerSSOP（PS-8）
UPW2A100MED1TD采用ROHM专有的Trench MOSFET结构，显著降低了导通电阻RDS(on)，从而减少了导通状态下的功率损耗，提升了整体系统效率。该器件在VGS=-4.5V时的RDS(on)仅为10mΩ，在VGS=-6V时进一步降低至8.5mΩ，这一性能使其在低电压、大电流的应用场景中表现优异，例如电池供电的移动设备中的电源开关。由于其低RDS(on)，在大电流负载下产生的热量较少，有助于简化热设计并提高系统可靠性。
该MOSFET具备良好的开关特性，输入电容Ciss为1900pF，在高频开关应用中能够实现快速响应，减少开关延迟和能量损耗。同时，其较短的反向恢复时间（trr=28ns）有效抑制了体二极管反向恢复带来的电流尖峰，降低了电磁干扰（EMI）风险，提升了系统稳定性。栅极阈值电压范围为-0.7V至-1.2V，确保在低控制电压下也能可靠导通，适用于3.3V或5V逻辑电平直接驱动，无需额外的电平转换电路。
UPW2A100MED1TD采用PowerSSOP-8封装，具有优异的散热能力，引脚设计兼容标准SMT工艺，便于自动化生产。该封装体积小巧，节省PCB空间，适合智能手机、平板电脑、可穿戴设备等紧凑型电子产品。此外，器件符合RoHS环保标准，无铅且不含卤素，满足现代电子产品对环境友好材料的要求。ROHM还对该器件进行了充分的可靠性验证，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）和温度循环测试，确保其在长期运行中的稳定性和耐用性。
UPW2A100MED1TD广泛用于各类需要高效电源控制的电子系统中。典型应用场景包括便携式设备中的负载开关，用于控制不同功能模块的供电通断，实现节能待机和电源管理。在电池管理系统（BMS）中，该器件可用于充放电路径的切换与保护，防止反向电流和过流故障。它也常用于DC-DC降压或升压转换器的同步整流部分，作为上管或下管使用，提升转换效率。此外，该MOSFET适用于热插拔电路设计，能够在不断电的情况下安全接入或移除子系统，避免电压跌落和浪涌电流。在FPGA、ASIC、处理器等核心芯片的电源排序控制中，UPW2A100MED1TD可精确控制各路电源的开启时序，保障系统稳定启动。其他应用还包括USB电源开关、显示背光控制、电机驱动中的低端开关以及各类工业控制模块的功率切换。得益于其高集成度和高性能，该器件在消费电子、工业自动化、通信设备和医疗仪器等领域均有广泛应用。
AP2302GN, Si3456DV, FDN360P, DMG2301U
