型号：B4P7-VH-FB-B(LF)(SN)
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　器件类型：P沟道MOSFET
　　封装/外壳：DFN1010D-6 (S-Mini)
　　通道数：单通道
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：-1.8A（TC=75℃）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-4.5A
　　导通电阻RDS(on)：42mΩ（@ VGS = -4.5V）
　　导通电阻RDS(on)：37mΩ（@ VGS = -2.5V）
　　阈值电压（Vth）：-0.6V ~ -1.0V
　　输入电容（Ciss）：290pF（@ VDS=10V）
　　反向传输电容（Crss）：20pF（@ VDS=10V）
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　功率耗散（PD）：500mW

B4P7-VH-FB-B(LF)(SN) 具备多项优异的电气与物理特性，使其在同类P沟道MOSFET产品中脱颖而出。首先，其低导通电阻（RDS(on) 最低可达37mΩ @ VGS=-2.5V）显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了整体能效，特别适用于电池供电设备中以延长续航时间。其次，该器件采用了ROHM独有的沟槽结构技术，优化了载流子迁移路径，从而在保持小尺寸的同时实现了较高的电流承载能力。其最大连续漏极电流可达-1.8A（在TC=75℃条件下），足以满足大多数中低功率开关应用的需求。
　　另一个关键特性是其出色的开关性能。得益于较低的输入电容（Ciss=290pF）和反向传输电容（Crss=20pF），该MOSFET具备快速的开关响应能力，能够有效减少开关过程中的延迟和能量损耗，适用于高频开关电源或DC-DC转换器中的同步整流或负载开关场景。同时，其栅极阈值电压范围为-0.6V至-1.0V，确保了在低电压逻辑信号下仍能可靠开启，兼容3.3V或1.8V的微控制器输出电平，增强了系统的集成灵活性。
　　在热管理和可靠性方面，B4P7-VH-FB-B(LF)(SN) 表现出良好的热稳定性。其最大结温高达+150℃，可在高温环境下稳定运行，适合用于工业级或汽车电子等严苛应用场景。封装采用DFN1010D-6小型化无引脚设计，不仅节省PCB空间，还通过底部散热焊盘有效提升散热效率，进一步提高长期工作的可靠性。此外，器件内部集成了二极管保护功能，防止反向电流冲击，增强了系统鲁棒性。整体而言，该MOSFET在性能、尺寸、功耗和可靠性之间实现了良好平衡，是现代高性能、小型化电子系统中的优选器件。

B4P7-VH-FB-B(LF)(SN) 广泛应用于各类需要高效、小型化P沟道MOSFET的电子系统中。典型应用包括便携式消费类电子产品中的电源开关和负载管理，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和TWS耳机等，用于控制不同功能模块的上电时序或实现节能待机模式。在这些设备中，该器件常被用作高端开关，配合低压逻辑信号控制电池供电路径，实现精准的电源域管理。
　　此外，它也适用于DC-DC转换器中的同步整流电路，尤其是在降压（Buck）变换器中作为高端开关使用，能够有效降低导通损耗，提高转换效率。由于其具备良好的开关特性和低RDS(on)，在轻载和中等负载条件下依然保持高能效，非常适合用于多相供电或分布式电源架构中。
　　在工业控制领域，该MOSFET可用于传感器模块、小型PLC（可编程逻辑控制器）、电机驱动电路中的电平转换或信号切换部分。其紧凑的DFN封装便于在高密度PCB上布局，而宽工作温度范围（-55℃ ~ +150℃）则保证了在恶劣环境下的稳定运行。此外，还可用于LED驱动电路中作为调光或开关元件，利用其快速响应能力实现精确亮度控制。
　　其他潜在应用还包括热插拔电路、USB端口电源控制、电池保护电路以及各种需要低电压逻辑驱动的P沟道开关场合。凭借其高可靠性、小尺寸和优良电气性能，B4P7-VH-FB-B(LF)(SN) 成为众多设计师在构建高效、小型化电源管理系统时的重要选择。

DMG2301U-7
　　SI2301ADS-T1-E3
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