时间：2025/10/7 2:54:21
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UPW1V820MED1TD是一款由ROHM（罗姆）半导体公司生产的P沟道功率MOSFET，采用先进的Trench栅极技术制造，专为高效率、低功耗应用设计。该器件封装于小型化的表面贴装SMT3（又称TSMT3）封装中，具有极低的导通电阻和优良的热性能，适用于空间受限但对功率密度要求较高的便携式电子设备。UPW1V820MED1TD的主要特点是其在低栅源电压（VGS）下仍能实现良好的导通特性，支持逻辑电平驱动，使其能够直接由微控制器或低压逻辑电路控制，无需额外的电平转换或驱动电路。该MOSFET广泛应用于电池供电设备、移动电源管理、负载开关、DC-DC转换器以及各类便携式消费电子产品中，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。ROHM通过严格的工艺控制确保了该器件的一致性和可靠性，符合AEC-Q101车规级标准，部分应用场景也可用于汽车电子系统中的低边开关或电源管理模块。此外，该器件无铅且符合RoHS环保要求，适合现代绿色电子产品设计。
型号：UPW1V820MED1TD
极性：P沟道
漏源电压（VDS）：-20V
栅源电压（VGS）：±12V
连续漏极电流（ID）：-5.4A（TC=75℃）
脉冲漏极电流（IDM）：-15A
导通电阻（RDS(on)）：20mΩ（@ VGS = -4.5V）
导通电阻（RDS(on)）：24mΩ（@ VGS = -2.5V）
导通电阻（RDS(on)）：28mΩ（@ VGS = -1.8V）
阈值电压（Vth）：-0.6V ~ -1.0V
输入电容（Ciss）：570pF（@ VDS=10V）
输出电容（Coss）：270pF（@ VDS=10V）
反向传输电容（Crss）：40pF（@ VDS=10V）
栅极电荷（Qg）：8.5nC（@ VGS= -10V）
体二极管反向恢复时间（trr）：20ns
工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
封装类型：SMT3（TSMT3）
安装方式：表面贴装
UPW1V820MED1TD采用ROHM独有的Trench MOSFET结构，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡。其核心优势在于低RDS(on)，在VGS = -4.5V时仅为20mΩ，显著降低了导通损耗，提高了系统整体效率，特别适用于大电流、低电压工作的电源管理场景。该器件支持1.8V逻辑电平驱动，在VGS = -1.8V时RDS(on)仍保持在28mΩ以下，使其可以直接由现代低电压微处理器或基带芯片驱动，简化了外围电路设计，减少了元件数量和PCB占用面积。器件的阈值电压较低且稳定，保证了在宽温度范围内可靠的开启与关断行为。由于采用SMT3超小型封装，其尺寸仅为2.0mm x 1.2mm x 0.6mm，极大节省了PCB空间，非常适合高密度集成的便携式设备。同时，该封装具备良好的散热性能，通过底部导热片有效传导热量，提升了功率处理能力。UPW1V820MED1TD具有较低的输入和输出电容，减小了开关过程中的动态损耗，加快了开关速度，有助于提高DC-DC转换器的工作频率和瞬态响应能力。其体二极管具有较短的反向恢复时间（trr = 20ns），可减少反向恢复带来的能量损耗和电压尖峰，提升系统稳定性，尤其在同步整流和H桥应用中表现优异。该器件还具备出色的抗雪崩能力和稳健的ESD防护性能，增强了在恶劣工况下的可靠性。所有参数均经过高温老化筛选和严格测试，确保长期使用的稳定性。此外，产品符合RoHS和无卤素要求，满足现代环保法规，适用于工业、消费类及部分车载应用场景。
UPW1V820MED1TD广泛应用于需要高效、小型化P沟道MOSFET的场合。典型应用包括便携式电子设备中的电源开关和负载切换电路，例如智能手机和平板电脑中的LCD背光控制、摄像头模块供电管理、外设电源使能等。在电池管理系统中，它可用于电池充放电路径的通断控制，实现低静态功耗和高效率的能量传递。该器件也常被用作同步降压变换器中的高端或低端开关元件，特别是在单路输出的DC-DC转换器中，凭借其低RDS(on)和快速开关特性，可有效提升转换效率并降低温升。在LDO后置的有源整流或理想二极管应用中，UPW1V820MED1TD可以替代传统肖特基二极管，大幅降低正向压降和导通损耗，提高系统能效。此外，它还可用于热插拔电路、USB端口电源控制、电机驱动中的低边开关以及各类需要逻辑电平驱动的开关电路。由于其符合AEC-Q101标准，部分型号可用于汽车信息娱乐系统、车身控制模块或辅助电源系统中的低功率开关应用。在可穿戴设备如智能手表、无线耳机中，其小型封装和低功耗特性尤为突出，有助于延长电池续航时间并缩小产品体积。工业传感器、IoT节点和无线通信模块也常采用此类高性能P沟道MOSFET来优化电源架构。
UPA1820MED1TD
DMG2305UW-7
FDC6330L
AOZ8850CI
