时间：2025/9/2 3:50:01
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H8BCSOQGOMMR-46M是一款由Hynix（现为SK hynix）生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，专为高性能计算和存储应用设计。该芯片采用了先进的DRAM技术，具备较高的存储密度和数据传输速率，适用于嵌入式系统、工业控制设备、网络设备以及消费类电子产品等多领域。这款DRAM芯片采用高密度制造工艺，提供大容量存储能力，同时保持较低的功耗和较高的稳定性。其主要特点是高速访问、低功耗设计以及可靠的存储性能，适用于对存储性能要求较高的应用场景。
容量：256Mb
组织结构：16M x16
电源电压：2.3V - 3.6V
工作温度：-40°C至+85°C
封装类型：TSOP
频率：166MHz
数据速率：333Mbps
接口类型：并行
H8BCSOQGOMMR-46M具有高速访问能力，能够在高达166MHz的频率下运行，支持快速的数据读写操作。该芯片采用低功耗设计，适用于对能耗要求较高的应用，如便携式电子设备和工业控制系统。此外，该DRAM芯片支持宽电压范围（2.3V至3.6V），增强了其在不同工作环境下的适应性。芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，确保了其在高温或低温环境下的稳定运行。封装形式为TSOP（薄型小外形封装），有助于节省PCB空间并提高集成度。其并行接口设计提供了较高的数据吞吐能力，适合需要高带宽数据传输的应用场景。此外，该芯片具备较高的可靠性和耐用性，能够满足工业级和消费级设备对存储性能的严格要求。
H8BCSOQGOMMR-46M广泛应用于各种高性能电子设备中，包括嵌入式系统、工业控制器、通信设备、智能家电、数码相机、视频监控设备以及便携式电子产品等。由于其高速数据访问能力和低功耗特性，该芯片特别适合用于需要实时数据处理和存储的应用场景，如图像处理、音频播放、数据缓存以及系统内存扩展等。在工业自动化和网络通信领域，该DRAM芯片也可作为主存储器或高速缓存，提升系统运行效率和数据处理能力。
H8BCS051A-60C, HY57V561620FTP-6B
