型号：UPW0J821MPD
　　极性：P沟道
　　漏源电压（Vds）：80V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：-100mA（@ Ta=25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：-400mA
　　功耗（Pd）：200mW
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值6.2Ω（@ Vgs = -10V, Id = -50mA）；最大值8.2Ω（@ Vgs = -10V, Id = -50mA）
　　阈值电压（Vth）：-1.0V 至 -2.5V（@ Id = -250μA）
　　输入电容（Ciss）：约90pF（@ Vds = -10V, Vgs = 0V, f = 1MHz）
　　输出电容（Coss）：约55pF
　　反向传输电容（Crss）：约8pF
　　体二极管正向电压（Vsd）：约-1.0V（@ Is = -10mA）

UPW0J821MPD具备多项关键特性，使其在同类P沟道MOSFET中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，这对于延长电池寿命和提高系统能效至关重要，尤其是在低电流负载切换应用中，如智能手机中的外设电源控制或可穿戴设备的模块供电管理。
　　其次，该器件具有较宽的栅源电压范围（±20V），增强了对电压瞬变的耐受能力，提升了系统稳定性。其负阈值电压（Vth）在-1.0V至-2.5V之间，确保了在低电压逻辑信号下也能可靠地开启或关断，兼容3.3V或5V逻辑驱动电路，无需额外电平转换即可直接由微控制器GPIO控制。
　　再次，UPW0J821MPD采用了先进的沟槽型MOS工艺，优化了载流子迁移路径，提高了跨导和开关速度，从而实现了快速的上升和下降时间，减少了开关过程中的交越损耗，适用于高频开关场景。同时，其小型化封装设计（如UMT5）节省了PCB空间，非常适合高密度布局的便携式电子产品。
　　此外，该器件内置的体二极管具有较低的反向恢复电荷，有助于减少反向电流尖峰，在感性负载切换时提供更好的保护作用。热阻特性经过优化，使得在有限散热条件下仍能维持安全工作温度。整体器件经过严格的质量认证和可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）等，确保长期运行的稳定性与一致性。

UPW0J821MPD广泛应用于多种低功率电子系统中，尤其适合作为电源开关或负载开关使用。在便携式消费类电子产品中，例如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和智能手表，它常用于控制不同功能模块的供电，如摄像头模组、Wi-Fi模块或传感器单元的上电与断电，实现按需供电以降低待机功耗。
　　在电池管理系统中，该器件可用于电池反接保护或充放电路径控制，利用其P沟道特性简化驱动电路设计，避免复杂的电荷泵电路。此外，在工业手持设备、医疗监测仪器和IoT终端节点中，UPW0J821MPD被用于实现远程唤醒或休眠模式下的电源隔离，提升系统的能源利用效率。
　　由于其良好的开关特性和稳定的电气参数，该MOSFET也适用于DC-DC转换器中的同步整流辅助电路、LED背光驱动中的电流通断控制，以及各类逻辑电平切换和信号路由应用。在通信接口电路中，可用于RS-232、I2C总线等信号路径的电平隔离与驱动增强。
　　总之，凡是需要小型化、低功耗、高可靠性的P沟道开关解决方案的场合，UPW0J821MPD均是一个理想选择，尤其在空间受限且对能效要求较高的嵌入式系统中表现突出。

UPW0J821MPT