UPV1V680MGD 是一款由ROHM(罗姆)半导体公司生产的多层陶瓷电容器(MLCC)。该器件属于该公司高性能电容产品线的一部分,专为需要高稳定性和低等效串联电阻(ESR)的应用而设计。UPV1V680MGD 的标称电容值为68pF,额定电压为100V,采用小型表面贴装封装(0603,即1608公制尺寸),适合在空间受限的高密度印刷电路板上使用。这款电容器采用X7R型介电材料,具有良好的温度稳定性,在-55°C至+125°C的温度范围内,电容值变化不超过±15%。由于其优异的电气性能和可靠性,UPV1V680MGD 广泛应用于工业设备、汽车电子、通信系统以及消费类电子产品中。此外,该器件符合RoHS环保标准,并具备良好的抗湿性和耐焊接热性能,适用于自动化贴片生产工艺。作为ROHM Ultra Stable系列的一员,UPV1V680MGD 在高频去耦、信号滤波、定时电路和阻抗匹配等关键应用场景中表现出色。
电容值:68pF
额定电压:100V
介电材料:X7R
温度特性:-55°C ~ +125°C, ±15%
封装尺寸:0603 (1608mm)
电容容差:±5%
产品类型:多层陶瓷电容器 (MLCC)
工作温度范围:-55°C 至 +125°C
直流偏压特性:良好
等效串联电阻 (ESR):低
老化率:≤2.5% / decade hour
耐焊接热:符合JIS C 60068-2-20标准
UPV1V680MGD 具备卓越的电容稳定性,这主要得益于其采用的X7R型陶瓷介质材料。X7R材料在宽温度范围内(-55°C 至 +125°C)能够保持电容值的变化控制在±15%以内,使其非常适合用于对温度敏感的应用场景,例如精密模拟电路、射频匹配网络以及电源去耦系统。这种稳定性确保了电路在整个工作温度区间内性能的一致性,避免因电容漂移导致的信号失真或系统失效。此外,该电容器在直流偏置电压下的电容保持率表现优异,即使在接近额定电压100V的工作条件下,仍能维持较高的有效电容值,这对于高压偏置环境中的滤波和耦合应用至关重要。
该器件采用先进的多层叠膜工艺制造,实现了小尺寸与高性能的结合。其0603(1608mm)封装形式不仅节省PCB空间,还降低了寄生电感,提升了高频响应能力。低等效串联电阻(ESR)和低等效串联电感(ESL)特性使其在高频去耦应用中表现突出,可有效抑制电源噪声,提升系统电磁兼容性(EMC)。此外,UPV1V680MGD 具备出色的机械强度和抗热冲击能力,能够在回流焊过程中承受高温而不产生裂纹或性能退化,确保SMT生产良率。
在长期可靠性方面,该电容器具有较低的老化速率(典型值≤2.5%每十年时间),保证了长时间运行下的性能一致性。同时,其无磁性结构设计避免了对周围敏感元件的干扰,适用于高精度测量仪器和医疗电子设备。整体而言,UPV1V680MGD 凭借其稳定的电气特性、紧凑的外形尺寸和高可靠性,成为现代电子系统中不可或缺的关键被动元件之一。
UPV1V680MGD 多层陶瓷电容器广泛应用于多个高要求的电子领域。在汽车电子系统中,它被用于发动机控制单元(ECU)、车载信息娱乐系统、高级驾驶辅助系统(ADAS)以及车身电子模块中,承担电源去耦、噪声滤波和信号耦合功能。由于其工作温度范围宽且符合AEC-Q200可靠性标准,特别适合在严苛的车载环境中长期稳定运行。
在工业控制领域,该电容器常用于PLC控制器、传感器接口电路、工业电源模块和电机驱动器中,提供稳定的旁路和滤波支持,增强系统抗干扰能力。在通信设备方面,UPV1V680MGD 被广泛应用于基站射频模块、光纤收发器、路由器和交换机的电源管理电路中,用于高频去耦和阻抗匹配,保障信号完整性。
此外,在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能家居设备中,该器件因其小型化和高性能特点,被用于DC-DC转换器输出滤波、时钟振荡电路以及音频信号路径中。医疗电子设备也常采用此类高稳定性电容,用于心电图机、血压监测仪等精密仪器的信号调理电路,以确保测量精度。总之,凡是对电容稳定性、尺寸和可靠性有较高要求的应用场景,UPV1V680MGD 均能提供可靠的解决方案。
GRM188R71H680KA01D
CC0603JRX7R9BB680
CL21A680JBANNNC
C1608X7R1H680K