时间：2025/9/2 16:38:20
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2N5860A 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由 STMicroelectronics 生产。该器件专为高效率开关应用设计，具备低导通电阻、高开关速度和高耐压能力。2N5860A 常用于 DC-DC 转换器、电源管理、电机控制以及各种功率开关电路中。该器件采用 TO-220 封装，具备良好的热性能和可靠性。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（VDS）：500V
最大漏极电流（ID）：12A
导通电阻（RDS(on)）：0.35Ω（最大）
栅极阈值电压（VGS(th)）：2V 至 4V
最大功耗（PD）：75W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220
2N5860A 的主要特性之一是其较低的导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。此外，该器件具备较高的耐压能力（VDS 最大为 500V），适用于中高功率的开关电源和功率因数校正电路。
该 MOSFET 具备良好的热稳定性和较高的电流承载能力，能够在较宽的温度范围内稳定工作。其栅极驱动特性较为温和，适用于多种驱动电路设计，包括 PWM 控制器等。
2N5860A 还具备较高的开关速度，适用于高频开关应用，有助于减小外部滤波元件的体积，提高系统的功率密度。其 TO-220 封装形式具备良好的散热能力，便于安装和散热设计。
2N5860A 广泛应用于各种功率电子设备中，特别是在需要高效能和高可靠性的场合。例如，在开关电源（SMPS）中，它可用于主开关管或同步整流器，以提高转换效率。
在 DC-DC 转换器中，2N5860A 可用于升降压拓扑结构，适用于工业控制、通信设备和电池管理系统。
此外，该器件还可用于电机控制、照明驱动、电源管理模块以及各种高边或低边开关电路中。
由于其高耐压和高电流能力，2N5860A 也常用于功率因数校正（PFC）电路和逆变器系统中。
STP12NM50N, IRFBC40, FDPF5N50
