型号：UPV1E121MGD
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　器件类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：-20V
　　最大连续漏极电流（ID）：-1.1A
　　导通电阻 RDS(on) max @ VGS = -4.5V：470mΩ
　　导通电阻 RDS(on) max @ VGS = -2.5V：600mΩ
　　栅极阈值电压（Vth）：-0.5V ~ -1.0V
　　输入电容（Ciss）：约 230pF
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SSF（超小型表面贴装封装）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　引脚数：3

UPV1E121MGD的电气与结构特性使其在同类P沟道MOSFET中表现出色。首先，其-20V的漏源电压额定值足以应对大多数低压直流系统的需求，如单节锂电池供电设备（典型电压为3.0V~4.2V），并留有一定的安全裕量以防止瞬态过压损坏。其次，该器件在-4.5V栅源电压下可实现低至470mΩ的导通电阻，在-2.5V条件下仍保持在600mΩ以内，这使得它在轻载或中等负载条件下具有较低的传导损耗，有助于提升系统整体效率。这一特性尤其适用于需要长时间待机或节能运行的移动设备。
　　该MOSFET的栅极阈值电压范围为-0.5V至-1.0V，属于典型的低阈值类型，确保即使在较低的控制信号电压下也能充分导通，从而支持与1.8V、2.5V或3.3V逻辑系统的直接驱动连接。这种设计简化了外围电路，减少了对专用驱动芯片的依赖，降低了BOM成本和PCB布局复杂度。此外，其输入电容约为230pF，属于较小水平，有利于快速开关响应，降低开关损耗，适用于高频开关应用场合。
　　从封装角度看，UPV1E121MGD采用ROHM独有的SSF（Small Surface-mount package Flat）封装技术，尺寸极为紧凑，典型外形尺寸仅为1.0mm × 0.6mm × 0.38mm，适合高度集成化的主板设计。该封装具有良好的散热性能，通过底部导热焊盘将热量有效传递至PCB，增强长期工作的热稳定性。同时，SSF封装还优化了寄生电感和电阻，进一步提升了高频开关行为的一致性与可靠性。
　　在可靠性方面，该器件经过严格的生产流程控制，符合AEC-Q101部分应力测试标准，表明其具备一定的汽车级应用潜力，尽管主要定位仍是消费电子领域。此外，产品无卤素且符合RoHS指令，满足现代电子产品对环保材料的要求。综合来看，UPV1E121MGD凭借其小尺寸、低RDS(on)、宽温域和高可靠性，成为现代便携式电子设备中理想的电源开关元件之一。

UPV1E121MGD广泛应用于多种需要高效、小型化电源管理的电子系统中。最常见的应用场景是作为负载开关（Load Switch）用于控制不同功能模块的供电通断，例如在智能手机中用于开启或关闭摄像头模组、Wi-Fi模块、传感器阵列等外设电源，以实现动态功耗管理，延长电池续航时间。由于其P沟道结构在高边开关（High-side Switch）配置中具有天然优势，能够方便地实现正电压的通断控制，因此常被用于构建简单的电源路径管理电路。
　　在便携式消费类电子产品中，如TWS耳机、智能手表、健身追踪器等，PCB空间极其宝贵，UPV1E121MGD的小型SSF封装可以显著节省布板面积，同时其低导通电阻有助于减少发热，避免影响敏感元件的工作稳定性。此外，该器件也适用于各类DC-DC转换器的同步整流或辅助开关环节，尤其是在非隔离式降压（Buck）或升压（Boost）拓扑中作为控制开关使用。
　　在工业和医疗类手持设备中，该MOSFET可用于电池保护电路或电源多路复用器中，实现主备电源切换或故障隔离功能。其稳定的阈值电压和良好的温度特性保证了在不同环境条件下的可靠操作。此外，由于其具备一定的抗噪声能力和静电防护能力（配合外部ESD保护元件），也可用于接口电源控制，比如USB端口的电源使能控制，防止短路或过流事件扩散至主电源系统。
　　值得一提的是，该器件还可用于LED背光驱动或指示灯控制电路中，特别是在需要精确开关时序和低静态功耗的设计中表现优异。总之，凡是在低压、小电流、高集成度环境下需要进行电源开关控制的场合，UPV1E121MGD都是一种技术成熟且性价比高的选择。

DMG2301U-7
　　AO8803
　　Si2301DS
　　FDC630P