时间：2025/6/20 23:15:58
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LQW18AN27NG00D 是一款由罗姆半导体（ROHM）生产的高性能、低导通电阻的 N 治道功率 MOSFET。该器件采用 LFPAK33 封装，适用于高效率开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等应用。其优化的芯片设计和封装技术使其在高频工作条件下表现出优异的性能。
该 MOSFET 的主要特点包括极低的导通电阻、快速的开关速度以及出色的热性能，这使得它非常适合需要高效能量转换和小尺寸解决方案的应用场景。此外，由于其高可靠性，该产品广泛应用于消费电子、工业设备及汽车电子领域。
型号：LQW18AN27NG00D
封装：LFPAK33
类型：N 治道 MOSFET
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：27A
导通电阻（RDS(on)）：1.4mΩ（典型值，VGS=10V）
总功耗（PD）：65W
工作温度范围（TJ）：-55℃ 至 +175℃
栅极电荷（QG）：26nC
反向恢复时间（trr）：9ns
LQW18AN27NG00D 具备以下显著特性：
1. **低导通电阻**：其 RDS(on) 值仅为 1.4mΩ（典型值），从而大幅降低导通损耗，提高系统效率。
2. **快速开关性能**：得益于低栅极电荷和短反向恢复时间，该 MOSFET 在高频应用中表现出色，可减少开关损耗。
3. **高电流承载能力**：支持高达 27A 的连续漏极电流，适合大功率应用场景。
4. **卓越的热性能**：采用 LFPAK33 封装，具备较低的热阻，有助于改善散热并提升整体可靠性。
5. **宽工作温度范围**：支持从 -55℃ 到 +175℃ 的工作温度，确保在极端环境下的稳定运行。
6. **紧凑型封装**：LFPAK33 封装不仅节省空间，还便于 PCB 布局和安装。
LQW18AN27NG00D 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的同步整流电路。
2. 电机驱动器中的功率级控制，例如无刷直流电机 (BLDC) 驱动。
3. 工业自动化设备中的负载切换和保护。
4. 消费类电子产品中的电池管理与充电电路。
5. 汽车电子系统的功率控制模块，如电动助力转向系统 (EPS) 和车身控制系统。
6. 高效能量转换相关的产品设计，例如 LED 驱动器和光伏逆变器。
LQM18AN27TG00D, LQW18AN27MG00D
