时间：2025/10/6 15:29:17
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UPV1C121MGD1TD是一款由ROHM（罗姆）半导体公司生产的多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于其UPV系列，专为高可靠性和高性能应用设计，广泛用于工业设备、汽车电子以及通信系统中。作为一款表面贴装器件（SMD），UPV1C121MGD1TD具有小型化、低等效串联电阻（ESR）和优良的高频特性，适用于去耦、滤波和旁路等电路功能。该电容器采用先进的陶瓷材料和制造工艺，能够在宽温度范围内保持稳定的电容值，并具备良好的耐电压能力和长期可靠性。此外，该产品符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，适合现代绿色电子产品的需求。由于其优异的电气性能和机械强度，UPV1C121MGD1TD在严苛的工作环境中仍能表现出色，是许多高端电子系统中的首选被动元件之一。
电容值：120μF
额定电压：1V
电容容差：±20%
工作温度范围：-55℃ ~ +125℃
温度特性：X7R（EIA）
封装尺寸：3225（公制8.0×6.0mm）
直流偏压特性：典型DC偏压下电容变化较小
等效串联电阻（ESR）：极低，适用于高频去耦
绝缘电阻：≥100MΩ或100倍额定电压中较小者
耐久性：在额定电压与+125°C环境下可工作1000小时
UPV1C121MGD1TD具备卓越的电容稳定性，在不同的电压、频率和温度条件下均能维持可靠的性能表现。其采用X7R型介电材料，这种材料在-55℃至+125℃的宽温范围内具有小于±15%的电容变化率，确保了电路工作的稳定性。尤其值得注意的是，尽管该电容器标称额定电压仅为1V，但其结构设计优化了直流偏置下的性能衰减，即使在接近额定电压运行时也能保持较高的有效电容值，这对于低电压大电流的现代数字电源系统尤为重要。
该器件采用了超薄层叠陶瓷技术，实现了在3225小型封装内集成高达120μF的大容量，显著提升了单位体积内的储能密度。这种高密度集成能力使其成为空间受限应用的理想选择，如便携式设备、高密度PCB布局和车载信息娱乐系统。同时，由于其极低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），UPV1C121MGD1TD在高频噪声抑制方面表现出色，能够有效滤除开关电源产生的纹波和瞬态干扰，提高系统的电磁兼容性（EMC）。
在机械和环境适应性方面，UPV1C121MGD1TD经过严格的老化测试和热循环试验，具备出色的抗振动、抗冲击能力，适合安装于存在机械应力的环境中。其端电极采用镍阻挡层和锡镀层结构，增强了焊接可靠性和耐腐蚀性，支持回流焊和波峰焊等多种贴装工艺。此外，该产品通过AEC-Q200认证，可用于汽车级应用，满足严苛的车载电子可靠性要求。整体而言，UPV1C121MGD1TD结合了大容量、小尺寸、高稳定性和高可靠性等多项优势，是先进电子系统中不可或缺的关键元件。
UPV1C121MGD1TD广泛应用于需要高稳定性与大容量去耦的电子系统中。在汽车电子领域，它常用于ADAS（高级驾驶辅助系统）、车载摄像头模块、ECU（电子控制单元）以及车载信息娱乐系统的电源管理部分，为微处理器、FPGA和ASIC提供稳定的去耦支持。在工业控制设备中，该电容器被用于PLC（可编程逻辑控制器）、伺服驱动器和传感器接口电路中，以提升系统抗干扰能力和运行稳定性。
在通信基础设施方面，UPV1C121MGD1TD适用于基站射频模块、光模块电源和网络交换设备中的局部滤波电路，凭借其低ESR特性有效降低电源噪声，保障高速信号完整性。此外，在消费类电子产品如高端智能手机、平板电脑和笔记本电脑中，该器件也用于CPU核心供电路径的旁路电容，满足低压大电流供电需求下的动态响应要求。
由于其符合AEC-Q200标准并具备宽温工作能力，UPV1C121MGD1TD特别适合部署在高温或温度剧烈变化的恶劣环境中，例如发动机舱附近或户外通信机柜内。同时，其无磁性特性也使其适用于医疗成像设备和精密测量仪器中，避免对敏感磁场造成干扰。总之，该电容器适用于所有对电源质量、空间效率和长期可靠性有较高要求的应用场景。
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