UPT2W560MHD是一款由UnitedSiC(现已被Qorvo收购)生产的高性能硅 carbide(SiC)肖特基二极管,专为高效率、高频率和高温工作环境设计。该器件采用先进的碳化硅材料技术,具备出色的热性能和电气特性,适用于要求严苛的电力电子应用。UPT2W560MHD属于UnitedSiC的UDx系列,该系列以低正向压降、零反向恢复电荷和卓越的开关性能著称,能够显著提升系统效率并降低电磁干扰(EMI)。该二极管通常用于功率因数校正(PFC)级、DC-DC转换器、逆变器以及工业电源系统中。其封装形式为TO-247-2L,便于安装在标准散热器上,适合高功率密度设计。UPT2W560MHD无需复杂的驱动电路,可直接替换传统硅基快恢复二极管或作为与SiC MOSFET或IGBT配合使用的续流/箝位二极管,从而优化整体系统性能。
类型:碳化硅肖特基二极管
最大重复反向电压(VRRM):650V
平均正向整流电流(IF(AV)):2A
峰值非重复正向浪涌电流(IFSM):50A(半正弦波,单脉冲)
正向电压降(VF):典型值1.55V @ 2A, 25°C;最大值1.7V @ 2A, 25°C
反向漏电流(IR):典型值0.2μA @ 25°C,最大值200μA @ 150°C
工作结温范围(TJ):-55°C 至 +175°C
存储温度范围(TSTG):-55°C 至 +175°C
热阻结至壳(RθJC):约2.5°C/W
封装:TO-247-2L
极性:单芯片二极管,阳极和阴极引出
UPT2W560MHD的核心优势在于其基于碳化硅(SiC)材料的物理特性,使其在高频、高温和高效率应用场景中表现出远超传统硅基二极管的性能。首先,该器件具有零反向恢复电荷(Qrr ≈ 0),这意味着在开关过程中不会产生反向恢复电流尖峰,从而大幅减少开关损耗和电磁干扰(EMI),这对于高频开关电源尤为重要。这一特性使得它可以在硬开关拓扑如Boost PFC中实现接近理想的二极管行为,提高整体能效。
其次,UPT2W560MHD拥有较低的正向导通压降(VF),在额定电流下仅为1.55V左右,虽然略高于某些硅二极管,但由于其无反向恢复损耗,在实际应用中综合功耗更低。同时,由于碳化硅材料的宽带隙特性,其反向漏电流极小且随温度变化缓慢,在150°C高温下仍能保持良好的阻断能力,确保系统在恶劣环境下稳定运行。
此外,该器件支持高达175°C的工作结温,允许更高的功率密度设计,并减少对复杂冷却系统的依赖。其TO-247封装具备良好的热传导能力和机械稳定性,适用于工业级和汽车级应用。UPT2W560MHD还具备优异的抗雪崩能力和抗浪涌电流能力,能够在瞬态过载条件下可靠工作,增强了系统的鲁棒性。最后,该器件无需使用缓冲电路即可实现快速开关,简化了PCB布局和外围元件设计,有助于缩小整体电源体积并降低成本。
UPT2W560MHD广泛应用于各类高效电力转换系统中。其典型应用场景包括服务器电源、电信整流器、工业SMPS(开关模式电源)、太阳能逆变器、电动汽车车载充电机(OBC)以及电机驱动中的续流路径。在功率因数校正(PFC)电路中,尤其是连续导通模式(CCM)Boost拓扑中,该二极管可以有效替代传统的超快恢复硅二极管,显著降低开关损耗并提升系统效率,尤其是在满载和高温工况下表现更为突出。
在DC-DC转换器中,如LLC谐振变换器或硬开关全桥拓扑中,UPT2W560MHD可用作输出整流二极管或辅助电源的高压侧整流元件,利用其零反向恢复特性减少环路电流和电压振荡,提升可靠性。此外,在UPS不间断电源和储能系统中,该器件也常被用于电池充放电管理电路中的隔离与保护功能。
由于其高耐温能力和紧凑封装,UPT2W560MHD特别适合空间受限但散热条件有限的设计,例如模块化电源单元或嵌入式电源系统。在新能源领域,如风力发电变流器和光伏微型逆变器中,该二极管有助于实现更高的能量转换效率和更长的使用寿命。总之,任何需要高效、高频、高可靠性的中等电流整流场合,都是UPT2W560MHD的理想选择。
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