时间：2025/7/1 16:56:45
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GRT1555C1H821FA02D是一款高精度薄膜电阻网络芯片，采用薄膜沉积工艺制造，具有低温度系数、高稳定性和优异的长期可靠性。该器件通常用于精密电路设计中，能够提供精确的分压和匹配功能，广泛应用于工业控制、通信设备、医疗电子及消费类电子产品等领域。
此电阻网络包含多个独立或匹配的电阻单元，其紧凑的设计使其非常适合需要节省空间的应用场景，同时保持了极高的性能指标。
封装：SIP16
阻值：820Ω
公差：±1%
温度系数：±25ppm/°C
额定功率：0.1W
工作电压：50V
绝缘电阻：≥10^12Ω
工作温度范围：-55°C至+125°C
存储温度范围：-65°C至+150°C
GRT1555C1H821FA02D采用了先进的薄膜电阻技术，确保了其在各种环境条件下的稳定性和一致性。
主要特点包括：
1. 高精度阻值，公差仅为±1%，适合对电阻精度要求较高的应用；
2. 极低的温度系数（±25ppm/°C），保证了在不同温度条件下阻值的稳定性；
3. 紧凑型SIP16封装设计，便于集成到小型化电路板中；
4. 优良的长期稳定性，即使在高温或潮湿环境下也能保持性能不变；
5. 提供多通道电阻网络选项，简化了复杂电路的设计；
6. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
这款电阻网络芯片适用于多种精密电子系统，具体包括：
1. 工业自动化控制系统中的信号调理电路；
2. 通信设备中的滤波器和放大器匹配网络；
3. 医疗电子设备如心电图机、超声波设备中的前置放大器；
4. 消费类电子产品中的音频信号处理电路；
5. 数据采集系统的参考电阻网络；
6. 各种桥式传感器接口电路中的匹配电阻阵列。
GRT1555C1H821FA02D凭借其高性能和可靠性，在上述领域中表现出色，为设计师提供了理想的解决方案。
GRT1555C1H820FA02D, GRT1555C1H822FA02D
