类型：碳化硅肖特基二极管
　　反向重复电压（VRRM）：1500V
　　平均正向电流（IF(AV)）：1.5A
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：50A（半正弦波，8.3ms）
　　正向电压降（VF）：典型值1.7V（在1.5A, 25°C下）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +175°C
　　反向漏电流（IR）：最大5μA（在1500V, 25°C下）；高温下不超过200μA（1500V, 125°C）
　　热阻（RθJC）：约40°C/W（典型值，依赖于PCB布局）
　　封装形式：TO-252（D-Pak）表面贴装型
　　引脚数：3
　　极性：单个二极管

UPT2G151MHD1CV的核心优势在于其基于碳化硅（SiC）半导体材料的物理特性。与传统的硅基二极管相比，碳化硅具有更高的禁带宽度（约3.2eV），这使得该器件在高温环境下仍能保持极低的反向漏电流和良好的阻断能力。由于其采用肖特基势垒结构而非PN结，该二极管不存在少数载流子存储效应，因此在关断时不会产生反向恢复电荷（Qrr）和反向恢复电流（Irr），从根本上消除了与之相关的开关损耗和电磁干扰（EMI）问题。这一特性使其非常适合用于高频率工作的电源拓扑中，例如图腾柱PFC、LLC谐振变换器和桥式电路，能够显著提升整体系统的转换效率并降低散热需求。
　　该器件支持高达175°C的最大结温，允许在高温工业环境或密闭空间内可靠运行，减少了对复杂冷却系统的需求。其低正向压降（VF ≈ 1.7V）在额定电流下表现出优异的导通性能，虽然略高于某些硅器件，但综合考虑其零恢复损耗，整体功耗更低。TO-252封装提供了良好的热传导路径，便于通过PCB铜箔进行散热，适合自动化表面贴装工艺，提高了生产效率和一致性。此外，该器件具备良好的抗浪涌能力，可承受高达50A的非重复浪涌电流，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。得益于碳化硅材料的高临界电场强度，器件可在1500V高电压下稳定工作，适用于太阳能逆变器、电动汽车充电系统、工业电机驱动和高端服务器电源等要求高可靠性和高效率的应用场景。

UPT2G151MHD1CV广泛应用于需要高效率、高频率和高可靠性的电力电子系统中。在功率因数校正（PFC）电路中，尤其是在连续导通模式（CCM）和图腾柱（Totem-Pole）PFC拓扑中，该二极管作为升压二极管使用，能够有效减少开关损耗，提高整体能效。在太阳能光伏逆变器中，它被用于直流侧的防反二极管或MPPT电路中，确保能量单向流动并提升系统效率。在电动汽车车载充电机（OBC）和直流快充桩中，该器件适用于高压DC-DC变换器的输出整流或辅助电源整流环节，有助于实现小型化和高效化设计。
　　此外，该二极管也常见于工业电源、通信电源和服务器电源等高端AC-DC转换系统中，特别是在追求高功率密度和高效率的设计中发挥关键作用。在感应加热、UPS不间断电源和电机驱动系统中，UPT2G151MHD1CV可用于续流或钳位功能，利用其快速响应和低损耗特性优化动态性能。其宽温度工作范围和高可靠性也使其适用于严苛环境下的户外设备和工业控制装置。随着碳化硅技术的普及，该器件正在逐步替代传统硅快恢复二极管和PIN二极管，成为下一代高效电源系统的关键组件之一。

UF3C15150K
　　GSFC1516BD-E3-AV
　　C4D15150D
　　SiC30150B