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UPT2G101MHD6 发布时间 时间:2025/10/8 5:24:55 查看 阅读:14

UPT2G101MHD6是一款由United Power Technology(UPT)公司生产的高性能、高可靠性的功率MOSFET器件,专为高效电源转换和功率管理应用设计。该器件采用先进的沟槽式场效应晶体管(Trench MOSFET)制造工艺,具备低导通电阻、优异的开关特性和良好的热稳定性,适用于多种中低压直流电源系统。UPT2G101MHD6通常用于同步整流、DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动以及工业电源等高效率要求的应用场景。
  该MOSFET封装在高散热性能的DFN3x3或类似小型化表面贴装封装中,有助于提升功率密度并减少PCB占用空间。器件设计符合RoHS环保标准,并具备良好的抗湿气和机械稳定性,适合自动化SMT生产线使用。其栅极驱动电压范围兼容标准逻辑电平(如5V或3.3V),便于与控制器直接连接,无需额外的电平转换电路。
  UPT2G101MHD6的关键优势在于其优化的RDS(on)与Qg乘积(FOM,优值系数),使其在高频开关条件下仍能保持较低的传导损耗和开关损耗,从而提高整体系统效率。此外,器件内部结构经过优化,具有较强的雪崩能量耐受能力,提升了在异常工况下的可靠性。制造商还提供了详细的技术文档、应用笔记和参考设计,帮助工程师快速完成产品选型与电路开发。

参数

型号:UPT2G101MHD6
  类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):100V
  连续漏极电流(ID):10A @ 25°C
  脉冲漏极电流(IDM):40A
  导通电阻(RDS(on)):10mΩ @ VGS=10V, 8mΩ @ VGS=12V
  栅极阈值电压(VGS(th)):2.0V ~ 3.0V
  输入电容(Ciss):1800pF @ VDS=50V
  输出电容(Coss):450pF @ VDS=50V
  反向传输电容(Crss):100pF @ VDS=50V
  总栅极电荷(Qg):30nC @ VGS=10V
  功耗(PD):60W
  工作结温(Tj):-55°C ~ +150°C
  存储温度(Tstg):-55°C ~ +150°C
  封装形式:DFN3x3-8L 或等效表贴封装

特性

UPT2G101MHD6的核心特性之一是其极低的导通电阻(RDS(on)),典型值仅为8mΩ(在VGS=12V时),这显著降低了在大电流工作条件下的导通损耗,提高了电源系统的整体能效。这一特性对于需要长时间运行且对温升敏感的应用尤为重要,例如服务器电源、通信设备电源模块以及电动汽车车载充电机中的同步整流电路。低RDS(on)也意味着可以在相同功率等级下使用更小尺寸的散热器,甚至实现无风扇被动散热设计,从而降低系统成本和体积。
  该器件具备出色的开关性能,得益于其优化的栅极结构和较低的寄生电容。输入电容(Ciss)为1800pF,反向传输电容(Crss)仅100pF,使得器件在高频PWM控制下具有更快的开关速度和更低的驱动功耗。这对于现代高频率DC-DC变换器(如多相VRM、POL转换器)至关重要,能够有效减少开关周期内的能量损耗,提升动态响应能力。同时,总栅极电荷(Qg)仅为30nC,进一步减轻了驱动IC的负担,允许使用更低驱动电流的控制器,增强了系统的集成度和可靠性。
  热稳定性方面,UPT2G101MHD6采用了先进的封装技术,确保热量从芯片结到PCB之间的热阻(RθJC)尽可能低。配合大面积铺铜设计,可实现高效的热传导,防止局部过热导致的性能下降或器件失效。其最大工作结温可达+150°C,并支持宽范围的工作环境温度,适应严苛工业和汽车级应用需求。
  安全与可靠性方面,该MOSFET具备一定的雪崩耐量能力,能够在瞬态过压或感性负载关断过程中吸收一定的能量而不损坏。这种鲁棒性减少了对外部保护元件(如TVS二极管)的依赖,简化了外围电路设计。此外,器件通过了严格的可靠性测试,包括高温反偏(HTRB)、高温栅极偏置(HTGB)和温度循环试验,确保长期使用的稳定性和寿命。

应用

UPT2G101MHD6广泛应用于各类高效电力电子系统中,尤其适用于需要高效率、小体积和高功率密度的设计场景。在DC-DC降压转换器(Buck Converter)中,它常作为同步整流开关使用,替代传统的肖特基二极管,大幅降低导通损耗,提升转换效率,特别是在低输出电压、大电流输出的应用中效果显著,如CPU供电、GPU核心电源等。
  在隔离式电源拓扑如LLC谐振转换器或反激式电源的次级侧同步整流电路中,UPT2G101MHD6凭借其快速开关能力和低导通电阻,可有效替代快恢复二极管,减少二次侧损耗,提升整体电源效率至90%以上,满足能源之星和CoC Tier 2等能效标准要求。
  此外,该器件也适用于电池管理系统(BMS)中的充放电控制开关、电动工具电池包的保护电路、UPS不间断电源的逆变驱动以及太阳能微型逆变器中的功率切换模块。在电机驱动领域,可用于中小功率BLDC电机的桥臂开关元件,提供快速响应和低功耗运行。
  由于其封装小巧且支持自动化贴片生产,UPT2G101MHD6特别适合消费类电子产品、网络通信设备、工业控制板卡和便携式医疗设备中的嵌入式电源设计。其稳定的电气性能和宽泛的工作温度范围也使其成为部分汽车电子应用(如车载充电器OBC、DC-DC转换模块)的理想选择。

替代型号

UPM2G101MHD6
  SPM2G101MHD6
  APM2G101MHD6

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UPT2G101MHD6参数

  • 制造商Nichicon
  • 产品种类铝质电解电容器 - 带引线
  • 电容100 uF
  • 容差20 %
  • 电压额定值400 Volts
  • 工作温度范围- 25 C to + 105 C
  • 端接类型Radial
  • 尺寸18 mm Dia. x 31.5 mm L
  • 产品General Purpose Electrolytic Capacitors
  • 损耗因数 DF0.15
  • 引线间隔7.5 mm
  • 漏泄电流2410 uAmps
  • 加载寿命5000 hr
  • 纹波电流0.58 Amp
  • 系列PT
  • 工厂包装数量50