时间：2025/10/6 15:08:40
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UPT2D151MHD是一款由Vishay Siliconix生产的表面贴装Trench肖特基二极管阵列，采用PowerPAK 1212-8封装。该器件集成了两个独立的肖特基二极管，适用于需要高效率和紧凑布局的电源管理应用。UPT2D151MHD的设计基于先进的沟道（Trench）肖特基技术，这种技术能够有效降低正向导通电压，同时减少反向漏电流，从而提高整体能效。该器件特别适合用于便携式电子产品、电池供电系统以及需要低功耗和高功率密度的应用场景。PowerPAK 1212-8封装具有优异的热性能，能够在小尺寸下实现良好的散热效果，有助于在高负载条件下保持稳定运行。此外，该封装符合RoHS标准，支持无铅焊接工艺，适用于现代环保型电子制造流程。UPT2D151MHD还具备出色的抗浪涌能力和可靠性，能够在瞬态过载条件下保持功能完整性，延长系统寿命。由于其双二极管结构，该器件常被用于双通道DC-DC转换器、同步整流电路或输入/输出保护电路中，提供高效的单向电流控制能力。
产品类型：肖特基二极管阵列
配置：双二极管
封装/外壳：PowerPAK 1212-8
安装类型：表面贴装（SMD）
最大重复反向电压（VRRM）：20V
最大直流反向电压（VR）：20V
最大正向平均电流（IF(AV)）：1.5A
每芯片最大正向电流（IF）：1.5A
最大正向电压（VF）：470mV @ 1A（典型值）
最大反向漏电流（IR）：100μA @ 20V（25°C）
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
热阻（Junction-to-Case）：约35°C/W
峰值浪涌电流（IFSM）：30A（8.3ms半正弦波）
UPT2D151MHD采用Vishay专有的Trench肖特基势垒技术，这项技术通过在硅片上蚀刻出深沟槽结构来优化电场分布，显著降低了传统平面肖特基二极管中存在的边缘电场集中问题。这不仅提升了器件的击穿电压稳定性，还有效抑制了高温下的反向漏电流增长，从而增强了高温环境下的可靠性。与标准肖特基二极管相比，Trench结构能够在相同电流密度下实现更低的正向压降，典型值仅为470mV @ 1A，这意味着更少的能量以热量形式损耗，提高了电源转换效率。
该器件的双二极管设计允许在PCB布局中实现高度集成，节省宝贵的板空间，尤其适用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等对体积敏感的产品。每个二极管可承载最高1.5A的连续正向电流，并能承受高达30A的非重复浪涌电流，表现出良好的瞬态耐受能力。PowerPAK 1212-8封装采用铜夹连接（Copper Clip）技术，取代传统的键合线，大幅降低了内部寄生电阻和电感，进一步提升了导电性能和高频响应能力。该封装底部带有裸露焊盘，便于通过PCB上的热过孔将热量快速传导至地层或散热层，实现高效热管理。
UPT2D151MHD的工作结温范围为-55°C至+150°C，适用于严苛的工业和汽车级应用环境。其低反向恢复时间（几乎为零）使其非常适合高频开关电源应用，如同步整流降压变换器，在此类电路中可以替代MOSFET体二极管以减少导通损耗。此外，该器件具有良好的ESD耐受能力，减少了生产过程中的静电损伤风险。所有材料均符合RoHS指令要求，不含铅、镉等有害物质，支持绿色环保制造。
UPT2D151MHD广泛应用于需要高效率、小尺寸和高可靠性的电源管理系统中。典型应用场景包括便携式消费类电子产品中的电池充电回路和电源路径管理，例如智能手机和平板电脑中用于防止电池反向放电或实现多电源输入选择。在DC-DC转换器中，它常作为同步整流架构中的续流二极管使用，利用其低正向压降特性减少能量损失，提升整体转换效率，特别是在低输出电压、大电流输出的 buck 转换器中表现优异。
该器件也适用于USB供电系统（如USB PD）、移动电源（Power Bank）以及各类嵌入式控制系统中的电压隔离与防倒灌电路。在电机驱动器或H桥电路中，UPT2D151MHD可用于提供飞轮二极管功能，吸收感性负载产生的反电动势，保护主开关器件免受电压尖峰损害。此外，其快速响应特性和低漏电流使其适合用于信号整流、逻辑电平箝位以及I/O端口保护电路中，防止过压或反接损坏后级IC。
在汽车电子领域，该器件可用于车载信息娱乐系统、ADAS传感器模块或车身控制单元中的低压电源调节电路。由于其具备良好的热稳定性和抗冲击能力，也可部署于工业手持设备、物联网终端节点和无线传感器网络等长期运行且维护困难的系统中，确保长时间稳定工作。
SI4420DY-T1-GE3
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