类型：肖特基二极管
　　封装形式：DO-201AD
　　平均整流电流：3A
　　峰值重复反向电压：50V
　　最大正向压降：0.525V @ 3A, 25°C
　　峰值浪涌电流：75A
　　反向漏电流：1.0mA @ 50V, 25°C
　　工作结温范围：-65°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　热阻：约50°C/W（结到环境）
　　反向恢复时间：典型值小于10ns

1N5831的核心优势在于其肖特基势垒结构所带来的低正向压降和快速开关性能。传统硅PN结二极管的正向导通压降通常在0.7V左右，而1N5831在3A电流下的正向压降仅为约0.525V，这意味着在相同工作条件下，其导通损耗更低，发热更小，有助于提升电源转换效率并减少散热设计负担。这一特性使其特别适合用于低压大电流输出的开关电源中，例如12V或5V输出的AC-DC适配器、DC-DC转换器以及电池充电电路。
　　另一个关键特性是其极快的反向恢复时间。由于肖特基二极管依靠金属-半导体接触形成势垒，而不是依赖P-N结的少数载流子注入机制，因此几乎不存在反向恢复电荷（Qrr），反向恢复时间可控制在10ns以内。这使得1N5831在高频开关环境中表现出色，能有效减少开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI），避免因反向恢复引起的电压尖峰问题，从而提升系统可靠性和稳定性。
　　此外，1N5831具备良好的浪涌电流承受能力，最大可达75A，能够在瞬态负载或开机冲击下保持安全运行。其较高的工作结温上限（+125°C）也增强了在高温环境下的适用性。尽管肖特基二极管通常存在较高的反向漏电流，但在50V反向电压下，1N5831的漏电流仍控制在1.0mA以内，属于合理范围。综合来看，1N5831在效率、响应速度和可靠性之间实现了良好平衡，是中小功率电源设计中的理想选择之一。

1N5831广泛应用于各类需要高效、快速整流的电子电路中。最常见的应用场景包括开关模式电源（SMPS）中的输出整流环节，尤其是在低压大电流输出的拓扑结构如Buck变换器或反激式电源中，利用其低正向压降特性可显著提高转换效率。此外，在DC-DC转换器模块中，1N5831常被用作续流二极管（Freewheeling Diode）或箝位二极管，以提供电感电流的回路路径，防止开关管关断时产生高压击穿。
　　在逆变器和UPS（不间断电源）系统中，1N5831可用于桥式整流或作为保护二极管，防止反向电流损坏敏感元件。它也常用于电池供电设备中的极性反接保护电路，确保用户错误连接电源极性时不会损坏主控板。在太阳能充电控制器、LED驱动电源、消费类电子产品（如路由器、机顶盒、小型家电）的电源模块中，1N5831因其成本低、性能稳定而被广泛采用。
　　此外，由于其快速响应特性，1N5831还可用于高频信号整流、检波电路以及噪声抑制电路中。在汽车电子辅助电源系统中，虽然其耐压等级相对较低，但在12V系统中仍可胜任部分低压整流任务。总体而言，1N5831凭借其高效率、小体积和成熟的技术，在工业控制、通信设备、家用电器和便携式设备等领域均有广泛应用。

SB350
　　SR350
　　MUR360
　　1N5824
　　MBR340